特許
J-GLOBAL ID:201603021370814684
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-179471
公開番号(公開出願番号):特開2016-054223
出願日: 2014年09月03日
公開日(公表日): 2016年04月14日
要約:
【課題】本明細書は、パワーカードと冷却部材の間にグリスが塗布された半導体装置に関し、パワーカードと冷却部材の間に粘度の高いグリスを採用しつつ、グリスの層の厚みを薄くするために半導体装置に加える荷重を抑える技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置2は、パワーカード10と絶縁板6(冷却部材)の間に粘度の異なる2種類のグリスが挟まれている。パワーカードと冷却部材の積層方向からみたときに半導体素子と重なる領域に第1グリス9aが塗布されている。第1グリス9aを囲むように第1グリスよりも粘度が高い第2グリス9bが塗布されている。半導体素子に対向している第1グリス9aの周囲を粘度の高い第2グリス9bで囲むことで、第1グリス9aの移動が抑えられる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
半導体素子を封止したパワーカードが冷却部材に接しているとともに前記パワーカードと前記冷却部材の積層方向に荷重が加えられている半導体装置であり、
前記パワーカードと前記冷却部材の間であって積層方向からみたときに前記半導体素子と重なる領域に第1グリスが塗布されているとともに前記第1グリスを囲むように前記第1グリスよりも粘度が高い第2グリスが塗布されている、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (2件):
H01L23/36 D
, H01L25/04 C
Fターム (7件):
5F136BC01
, 5F136CB08
, 5F136DA27
, 5F136DA41
, 5F136EA36
, 5F136FA01
, 5F136FA82
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