特許
J-GLOBAL ID:201603021397607206

帯電部材、帯電部材の製造方法、電子写真装置およびプロセスカートリッジ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 宮崎 昭夫 ,  緒方 雅昭
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-101653
公開番号(公開出願番号):特開2012-237994
特許番号:特許第5943696号
出願日: 2012年04月26日
公開日(公表日): 2012年12月06日
請求項(抜粋):
【請求項1】 支持体、弾性層および表面層を有している帯電部材であって、 該表面層は、 Si-O-M結合およびSi-O-Ta結合から選ばれる少なくとも一方の結合、 M-O-Ge結合およびTa-O-Ge結合から選ばれる少なくとも一方の結合、並びに、 Si-O-Ge結合、を有している高分子化合物を含み、 該高分子化合物は、 下記式(1)で示される構成単位と、 下記式(2)で示される構成単位と、 下記式(3)で示される構成単位および下記式(4)で示される構成単位から選ばれる少なくとも一方の構成単位と、を有し、 該帯電部材は、その表面から該弾性層に至る亀裂を有し、該亀裂はその縁部が凸状に盛り上がり、それによって該帯電部材は、該表面が粗面にされていることを特徴とする帯電部材: [式(1)中、R1およびR2は、各々独立に下記式(5)〜(8)のいずれかを示す; [式(5)〜(8)中、R3〜R7、R10〜R14、R19、R20、R25およびR26は、各々独立に水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、水酸基、カルボキシル基またはアミノ基を示す。R8、R9、R15〜R18、R23、R24およびR29〜R32は、各々独立に水素原子または炭素数1以上4以下のアルキル基を示す。R21、R22、R27およびR28は、各々独立に水素原子、炭素数1以上4以下のアルコキシル基、または炭素数1以上4以下のアルキル基を示す。n、m、l、q、sおよびtは、各々独立に1以上8以下の整数を示す。pおよびrは、各々独立に4以上12以下の整数を示す。xおよびyは、各々独立に0または1を示す。「*」および「**」は、各々、式(1)中のケイ素原子および酸素原子との結合位置を示す。]]、 [式(3)中、Mは、Ti、ZrおよびHfの群から選ばれるいずれかの元素を表す。]。
IPC (2件):
G03G 15/02 ( 200 6.01) ,  F16C 13/00 ( 200 6.01)
FI (3件):
G03G 15/02 101 ,  F16C 13/00 A ,  F16C 13/00 B
引用特許:
出願人引用 (8件)
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