研究者
J-GLOBAL ID：201701005104167066   更新日: 2024年01月29日

花田 尊徳

ハナダ タカノリ | Hanada Takanori
ホームページURL (1件)： https://scholar.google.com/citations?user=Ge1La8UAAAAJ&hl=ja&oi=ao
研究分野 (4件)： 無機材料、物性 ,  薄膜、表面界面物性 ,  応用物性 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (6件)： Diamond ,  Semiconductor ,  3D NAND ,  Flash memory ,  半導体 ,  ダイヤモンド
論文 (12件)：
  • Kengo Oda, Junichi H. Kaneko, Daisuke Matsunaga, Takanori Hanada, Tsukasa Mizukoshi, Shintaro Hirano. Energy Spectroscopy for Low-energy Photons Using Diamond Detector Combined with Micro-CMOS Preamplifier. Sensors and Materials. 2024. 36. 1. 251-251
  • Takanori Hanada, Shinya Ohmagari, Junichi H. Kaneko, Hitoshi Umezawa. High yield uniformity in pseudo-vertical diamond Schottky barrier diodes fabricated on half-inch single-crystal wafers. Applied Physics Letters. 2020. 117. 26
  • Rawiwan Chaleawpong, Nathaporn Promros, Peerasil Charoenyuenyao, Takanori Hanada, Shinya Ohmagari, Tsuyoshi Yoshitake. Temperature Dependence of Alternating Current Impedance in n-Type Si/B-Doped p-Type Ultrananocrystalline Diamond Heterojunctions Produced Through Pulsed Laser Deposition. Journal of nanoscience and nanotechnology. 2020. 20. 1. 331-337
  • Rawiwan Chaleawpong, Nathaporn Promros, Peerasil Charoenyuenyao, Adison Nopparuchikun, Takanori Hanada, Shinya Ohmagari, Tsuyoshi Yoshitake. C-V-f, G-V-f and Z′′-Z' Characteristics of n-Type Si/B-Doped p-Type Ultrananocrystalline Diamond Heterojunctions Formed via Pulsed Laser Deposition. Journal of nanoscience and nanotechnology. 2019. 19. 10. 6812-6820
  • Rawiwan Chaleawpong, Nathaporn Promros, Peerasil Charoenyuenyao, Takanori Hanada, Shinya Ohmagari, Abdelrahman Zkria, Tsuyoshi Yoshitake. Diode Parameters of Heterojunctions Comprising p-Type Ultrananocrystalline Diamond Films and n-Type Si Substrates. Journal of nanoscience and nanotechnology. 2019. 19. 3. 1567-1573
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MISC (12件)：
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講演・口頭発表等 (2件)：
  • ミニマルファブを活用したダイヤモンドSBDの試作と評価
    (2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 2019)
  • 超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の光導電効果
    (応用物理学会九州支部学術講演会 2013)
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (九州大学)
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