研究者
J-GLOBAL ID:201701008973144652   更新日: 2024年02月14日

中田 修平

ナカタ シュウヘイ | Nakata Shuhei
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (1件): 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (4件): 信頼性 ,  高性能電力変換器 ,  パワーモジュール ,  パワー半導体
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 2022 - 2025 SiC-MOSFETの超高速駆動時の接触抵抗の影響評価と高効率電力変換効率の実証
論文 (29件):
  • 永瀬 唯, 中田 修平, 富永 貴亮. SiC-MOSFETのp型コンタクト抵抗が スイッチング特性に及ぼす影響評価. 令和五年電気学会全国大会講演論文集. 2023
  • Takaaki Tominaga, Toshiaki Iwamatsu, Yukiyasu Nakao, Hiroyuki Amishiro, Hiroshi Watanabe, Naruhisa Miura, Satoshi Yamakawa, Shuhei Nakata. Impact of Recovery Characteristics on Switching Loss of SiC MOSFETs. Materials Science Forum. 2022. 1062. 447-451
  • Shuhei Nakata, Yuta Sato. Self-Turn-On Phenomenon of SiC MOSFETs by Fast Switching Operation. Materials Science Forum. 2022. 1062. 452-457
  • Takaaki Tominaga, Toshiaki Iwamatsu, Yukiyasu Nakao, Hiroyuki Amishiro, Hiroshi Watanabe, Shingo Tomohisa, Naruhisa Miura, Shuhei Nakata. Body Potential Control via p-Type Contact Resistance and Its Influence on Switching Characteristics of 4H-SiC MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2022. 69. 1. 285-290
  • 髙久 佳雅, 吉田 勇人, 中田 修平. SiC-MOSFETによる10MHz昇圧チョッパの検証. 令和三年電気学会全国大会講演論文集. 2021
もっと見る
MISC (6件):
  • TAKAKU Yoshimasa, NAKATA Shuhei. Inrush Current Effects on SiC-MOSFETs for LLC Converter. Technical Program and Abstracts of ICSCRM2019. 2019
  • NAKATA Shuhei. Temperature Dependence of Dv/Dt Impact on the SiC-MOSFET. European Conference on Silicon Carbide & Related Materials. 2018
  • 中田 修平. FED/CRTに関する発表報告 : SID'04報告. 映像情報メディア学会技術報告. 2004. 28. 36. 39-42
  • 中田 修平. FED/CRTに関する発表報告 : SID'04報告. 電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ. 2004. 104. 172. 39-42
  • 中田 修平. 30P-p-6 パルス電磁石の磁性材料が及ぼす低エネルギー荷電粒子への影響. 年会講演予稿集. 1992. 47. 1. 60-60
もっと見る
講演・口頭発表等 (3件):
  • dV/dtストレスによるSiC-MOSFETのゲート誤点弧の温度依存性
    (平成30年 電気学会 産業応用部門大会 予稿集 2018)
  • Development of High Voltage SiC Devices and Its Applications
    (International SiC Power Electronics Application Workshop 2016)
  • 次世代パワーエレクトロニクスのためのSiCパワーデバイス開発
    (2015)
学歴 (3件):
  • 1982 - 1985 東京大学 電気工学専門課程
  • 1980 - 1983 東京大学 電気工学専門課程
  • 1976 - 1980 東京大学 工学部 電気工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (2件):
  • 1985/04 - 2017/03 三菱電機株式会社先端技術総合研究所
  • 2013/04 - 2015/03 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 SiCデバイス開発センター 副センター長
委員歴 (4件):
  • 2007/04 - 2008/03 独立行政法人日本学術振興会 真空ナノエレクトロニクス第158委員会委員
  • 1997/04 - 1999/03 電気学会 「電磁界問題最適化手法の高度化調査専門委員会」委員
  • 1995/04 - 1997/03 電気学会 「電磁界解析とその逆・最適化問題への応用調査専門委員会」委員
  • 1993/04 - 1995/03 電気学会 「三次元電磁界数値計算実用化技術調査専門委員会」委員
所属学会 (2件):
電気学会 ,  応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る