研究者
J-GLOBAL ID:201701016873688615   更新日: 2020年09月01日

後藤 高寛

ゴトウ タカヒロ | GOTOW Takahiro
所属機関・部署:
職名: 助教
研究分野 (3件): 薄膜、表面界面物性 ,  電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (3件): TCADシミュレーション ,  MOS界面評価 ,  半導体デバイス
論文 (13件):
  • T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi. Improvement of p-type GaAs0.51Sb0.49 metal-oxide-semiconductor interface properties by using ultra thin In0.53Ga0.47As interfacial layers. Joural of Applied Physics. 2019. 125. 214504
  • Yamaguchi Masashi, Gotow Takahiro, Takenaka Mitsuru, Takagi Shinichi. Drive current enhancement of Si MOSFETs by using anti-ferroelectric gate insulators. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58
  • 高木信一, 加藤公彦, 安 大煥, 後藤高寛, 松村 亮, 高口遼太郎, 竹中 充. 材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化. 電子情報通信学会 和文論文誌C招待論文. 2019. J102-C. 3. 61-69
  • Shinichi Takagi, Kimihiko Kato, Dae Hwan Ahn, Takahiro Gotow, Ryotaro Takaguchi, Tae Eon Bae, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka. Tunneling FET Device technology for ultra-low power integrated circuits. ECS Transactions. 2019. 92. 4. 59-69
  • S. Takagi, K. Kato, W.-K. Kim, K. Jo, R. Matsumura, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, T. Gotow, M. Takenaka. MOS Device technology using alternative channel materials for low power logic LSI. European Solid-State Device Research Conference. 2018. 2018-September. 6-11
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MISC (11件):
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講演・口頭発表等 (11件):
  • Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile
    (2018 International Conference on Solid State Device and Materials 2018)
  • Performance enhancement of Si MOSFETs using anti-ferroelectric thin films as gate insulators
    (2018 International Conference on Solid State Device and Materials 2018)
  • Ultra-Low Power III-V-Based Mosfets and Tunneling FETs
    (233rd Electrochemical Society (ECS) Meeting, H02 - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18 2018)
  • III-V/Ge-based tunneling MOSFET
    (5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop (E3S) 2017)
  • Low Power Tunneling FET Technologies Using Ge/III­V Materials
    (232nd Electrochemical Society (ECS) Meeting, G03: Semiconductor Process Integration 10 2017)
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学歴 (3件):
  • 2015 - 2018 東京大学大学院 電気系工学専攻
  • 2013 - 2015 東京理科大学 電子応用工学専攻
  • 2009 - 2013 東京理科大学 電子応用工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (3件):
  • 2019/07 - 現在 東京工業大学 工学院 助教
  • 2018/04 - 2019/06 情報通信研究機構 未来ICT研究所 フロンティア創造総合研究室 研究員
  • 2017/04 - 2018/03 日本学術振興会 特別研究員(DC2)
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