後藤高寛

ゴトウタカヒロ | GOTOW Takahiro

所属機関・部署：
職名：研究員

研究分野 (3件)：薄膜、表面界面物性 , 電気電子材料工学 , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (3件)： TCADシミュレーション , MOS界面評価 , 半導体デバイス

競争的資金等の研究課題 (4件)：

論文 (27件)：

Takahiro Gotow, Hisashi Yamada. Evaluation of Indium Composition Dependence on Al2O3/InGaN Metal-Insulator-Semiconductor Capacitance. physica status solidi (a) applications and materials science. 2025. e202500582
Takahiro Gotow, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Yosuke Tsunooka, Shota Seki, Kentaro Kutsukake, et al. Determination of featured parameters for GaN surface morphologies by using a 2D growth simulation. VACUUM. 2025. 239
Toshihide Ide, Takahiro Gotow, Ryosaku Kaji, Katsumi Furuya, Hisashi Yamada. Ringing Noise Reduction Method for High-Speed GaN Switching Converter. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2025
Takahiro Gotow, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Yosuke Tsunooka, Shota Seki, Kentaro Kutsukake, et al. Modeling and analysis of undoped GaN grown in a horizontal laminar flow MOCVD reactor. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2025. 188
Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Takahiro Gotow, Naoto Kumagai, Tetsuji Shimizu, Toshihide Ide, Tatsuro Maeda. Ammonia-free quasi-atmospheric MOCVD of InN/Al2O3 (0001). JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2025. 650

MISC (12件)：

講演・口頭発表等 (11件)：

Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile
(2018 International Conference on Solid State Device and Materials 2018)
Performance enhancement of Si MOSFETs using anti-ferroelectric thin films as gate insulators
(2018 International Conference on Solid State Device and Materials 2018)
Ultra-Low Power III-V-Based Mosfets and Tunneling FETs
(233rd Electrochemical Society (ECS) Meeting, H02 - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18 2018)
III-V/Ge-based tunneling MOSFET
(5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop (E3S) 2017)
Low Power Tunneling FET Technologies Using Ge/IIIV Materials
(232nd Electrochemical Society (ECS) Meeting, G03: Semiconductor Process Integration 10 2017)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (4件)：

委員歴 (5件)：

2025/12 - 2027/11 電気学会化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション(第二期)調査専門委員会 (委員)
2025/06 - 2027/06 電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会 (委員)
2025/11 - 2026/12 16th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM2026) 論文委員
2024/11 - 2025/12 応用物理学会 2025年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員会 (実行委員)
2023/12 - 2025/11 電気学会化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション調査委員会 (委員)

受賞 (1件)：

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後藤 高寛