研究者
J-GLOBAL ID:201701020689445049   更新日: 2024年04月23日

矢嶋 赳彬

Yajima Takeaki | Yajima Takeaki
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): https://con.ed.kyushu-u.ac.jp/
研究分野 (3件): 数理物理、物性基礎 ,  電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (8件): 環境発電 ,  ニューロモルフィック ,  プロトン ,  酸化バナジウム ,  低消費電力 ,  モットトランジスタ ,  相転移 ,  酸化物エレクトロニクス
競争的資金等の研究課題 (9件):
  • 2022 - 2027 自立センサノードのためのバイオミメティック汎用電源回路
  • 2019 - 2025 スパイキングネットによるエッジでのリアルタイム学習基盤
  • 2020 - 2023 固体中プロトンを利用した0.1Vエレクトロニクスの創成
  • 2020 - 2023 ゲート誘起相転移の律速過程解明による相転移トランジスタ高速化の研究
  • 2017 - 2021 抵抗変化素子を活用した環境発電用回路技術の創成
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論文 (80件):
  • Satya Prakash Pati, Takeaki Yajima. Review of solid-state proton devices for neuromorphic information processing. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 030801-030801
  • Keisuke Takano, Takeaki Yajima, Satoshi Kawakami. Design of The Ultra-Low-Power Driven VMM Configurations for μW Scale IoT Devices. 2023 IEEE 16th International Symposium on Embedded Multicore/Many-core Systems-on-Chip (MCSoC). 2023
  • Takeaki Yajima. Resonant frequency modulation in inductive vibration power generator via resistive impedance control. IEEE Transactions on Power Electronics. 2023. 39. 1. 1269-1278
  • Hisashi Inoue, Hiroto Tamura, Ai Kitoh, Xiangyu Chen, Zolboo Byambadorj, Takeaki Yajima, Yasushi Hotta, Tetsuya Iizuka, Gouhei Tanaka, Isao H. Inoue. Long-time-constant leaky-integrating oxygen-vacancy drift-diffusion FET for human-interactive spiking reservoir computing. 2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits). 2023
  • Takeaki Yajima, Yusuke Samata, Satoshi Hamasuna, Satya Prakash Pati, Akira Toriumi. Zero-dimensionality of a scaled-down VO2 metal-insulator transition via high-resolution electrostatic gating. NPG Asia Materials. 2023. 15. 39-1-39-6
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MISC (6件):
  • 矢嶋 赳彬. 神経回路のアナロジーに基づく省エネエレクトロニクス. 電気学会誌. 2024. 144. 2. 84-87
  • 矢嶋赳彬. スパイキングニューロン回路を用いた低消費電力IoT回路技術. 月刊機能材料. 2021. 41. 3. 37-43
  • 矢嶋 赳彬. 金属絶縁体転移材料を利用した回路技術の研究. 電子情報通信学会 和文論文誌C. 2020. J103-C. 10. 420-427
  • T. Yajima, Y. Hikita, M. Minohara, C. Bell, J. A. Mundy, L. Fitting Kourkoutis, D. A. Muller, H. Kumigashira, M. Oshima, H. Y. Hwang. Engineering Artificial Interface Dipoles at Oxide Heterointerfaces. PF Activity Report. 2015. 32. 13
  • 矢嶋赳彬. ペロブスカイト酸化物における界面ダイポールの設計とトランジスタへの応用. 先端技術大賞. 2012
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特許 (14件):
  • 昇圧装置および昇圧システム(*1mVから昇圧できる熱電発電用昇圧回路)
  • 電源回路、および電源モジュール(*電気磁気振動発電の機械共進周波数を電源回路にて変調する技術)
  • モジュール回路、及びレザバー回路(*CMOS回路でレザバーコンピューティングを実装する技術)
  • 振動発電素子用電源回路及び振動発電装置(*電圧制限下での簡便なSECE回路)
  • スパイキングニューロン回路システムおよびスパイキングニューロン回路(スパイキングニューロン回路のばらつき・温度補償技術)
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書籍 (1件):
  • 環境発電ハンドブック 第2版
    エヌ・ティー・エス 2021 ISBN:9784860437480
講演・口頭発表等 (43件):
  • AI × 演算デバイスからAI × Opticsの将来を覗く
    (日本光学会AI Optics研究グループ 2024)
  • 酸化物相転移とプロトンを駆使したニューロモルフィックデバイス設計
    (第258回JOEM研究会 2023)
  • Designing neuromorphic devices using protons
    (IWDTF 2023 (2023, Kanazawa, Japan) 2023)
  • 酸化物ヘテロ構造とプロトンを用いたニューロモルフィック素子
    (第84回応用物理学会秋季講演会 (2023, Kumamoto) 2023)
  • プロトンを用いたニューロモルフィック情報処理
    (新材料・新原理で築く ニューロモルフィックシステム (2023, Osaka) 2023)
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学歴 (4件):
  • 2009 - 2012 東京大学 新領域創成科学研究科 物質系専攻
  • 2005 - 2007 東京大学 物理工学科
  • 2003 - 2005 東京大学 理科I類
  • 2000 - 2003 白陵高等学校
学位 (1件):
  • 博士 (東京大学)
経歴 (5件):
  • 2020/10 - 現在 九州大学 大学院システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 准教授
  • 2017/10 - 2021/03 科学技術振興機構 さきがけ研究員
  • 2012/08 - 2020/09 東京大学 マテリアル工学専攻 助教
  • 2011/08 - 2012/07 Stanford University SLAC国立加速器研究所 訪問研究員
  • 2011/04 - 2012/07 日本学術振興会 特別研究員DC2
委員歴 (15件):
  • 2023/11 - 現在 SSDM2024-25 Executive comittee (secretary)
  • 2023/04 - 現在 応用物理学会 中分類(酸化物エレクトロニクス) プログラム委員
  • 2021/07 - 現在 ニューロモルフィックAIハードウェア研究センター 外部委員
  • 2020/10 - 現在 Silicon Nanoelectronics Workshop プログラム委員
  • 2019/12 - 現在 The System Device Roadmap Committee of Japan (SDRJ) More than Moore working group 幹事
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受賞 (15件):
  • 2022/04 - 文部科学省 文部科学大臣表彰若手科学者賞 酸化物機能に基づく省電力情報処理基盤の研究
  • 2019/10 - International Workshop on Oxide Electronics The Oxide Electronics Prize for Excellency in Research
  • 2019/09 - SSDM 2019 Young Researcher Award New Operation Mode of VO2-Channel Mott Transistors for Ultra-Sharp ON/OFF Switching
  • 2019/01 - 科学技術振興機構 さきがけ交流会 ポスター賞 神経回路にヒントを得たsub-nW超低消費電力回路の開発
  • 2018/09 - 日本応用物理学会 第40回 応用物理学会論文賞 Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface.
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所属学会 (5件):
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 ,  IEEE ,  日本神経回路学会 ,  応用物理学会 ,  Material Research Society
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