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J-GLOBAL ID:201702210040085457   整理番号:17A1704596

ストリキニン有毒の増強した光触媒反応のためのAgドープしたZnS量子ドットの合成と特性化:電気化学的インピーダンスと時間分解光ルミネセンス分光法による電荷移動挙動の研究【Powered by NICT】

Synthesis and characterization of Ag doped ZnS quantum dots for enhanced photocatalysis of Strychnine asa poison: Charge transfer behavior study by electrochemical impedance and time-resolved photoluminescence spectroscopy
著者 (5件):
資料名:
巻: 510  ページ: 95-102  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0279A  ISSN: 0021-9797  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,ストリキニンの光触媒分解は,ZnS量子ドットで調べ,UVシステム中の銀をドープした。ZnSとAg ZnS量子ドットを化学的方法で合成し,粉末X線回折,透過型電子顕微鏡,紫外可視スペクトルおよび光ルミネセンスによって特性化した。半導電ductor/electrolyte界面での電荷移動プロセスを電気化学インピーダンス分光法(EIS)と時間分解光ルミネセンスにより調べた。ZnSとAgをドープしたZnS量子ドットの平均直径は3.0 5~2.0nmと3.0 5~1.3nmであった。ZnSとAg ZnS QDのバンドギャップは3.47eVと3.1eVと計算した。ZnSとAg ZnS QDsの表面面積値は,78.25と89.54m~2/gであることが分かった。初期pH,触媒添加量,UV照射強度,反応時間と同様に無機化程度に及ぼす初期ストリキニン濃度の影響などの重要な操作パラメータの影響を調べた。研究の結果は,ストリキニンの最大除去効率は100W/m~2の放射強度で無ドープおよびAgドープZnS QDsによって達成され,20mg/mlの60分の時間,3のpHおよび初期ストリキニン濃度でされたことを示した。の観察によるとAgをドープしたZnS QD光触媒過程である非ドープZnS QDより効果的であることを明確に示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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塩  ,  コロイド化学一般  ,  無機化合物のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (15件):
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