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J-GLOBAL ID：201702210063712995   整理番号：17A0887382

AlGaNアバランシェフォトダイオードのヘテロ構造増倍領域における電界分布の精密制御【Powered by NICT】

Fine Control of the Electric Field Distribution in the Heterostructure Multiplication Region of AlGaN Avalanche Photodiodes

著者 (8件)： You Haifan (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Shao Zhenguang (College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology, Changshu, China) ,  Wang Yiran (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Hu Liqun (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Chen Dunjun (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Lu Hai (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Rong (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zheng Youdou (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 3  ページ： ROMBUNNO.6802007.1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： なだれイオン化を増強するために,通常のAlGaN均一増倍領域を置換高/「低Al含有量がAlGaNヘテロ構造層による新しい分離吸収及び増倍AlGaNソラ ブラインドアアバランシェフォトダイオード(APD)を設計した。計算結果はAl_0 3Ga_0 0.7N/「Al_0 0.45Ga_0Ga0.55N不均一増倍領域は,従来のAPDのそれよりも51%高い利得を示す改善されAPD,Al_0.3Ga_0 0.7Nの高い正孔イオン化係数を六倍から利益を得る,Al_0 0.45Ga_0 0.55のそれと比較して示した。中間n型AlGaN電荷層不均一増倍領域に挿入された電場分布をきめ細かく制御することにより優れた性能を得た。Al含有量,ドーピング濃度,および電荷層の厚さに絶縁破壊電圧と増倍利得の依存性は,最適構造を得るために詳細に研究した。一方,APD構造を最適化するときにソーラーブラインド特性も考慮した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  利得 ,  *アルミニウム ,  正孔 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  電離係数 ,  イオン化 ,  電荷
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  精密制御 ,  *電界分布 ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： AD・DA変換回路  (NC05080M) ,  信号理論  (ND02020G) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  アバランシェフォトダイオード ,  ヘテロ構造 ,  電界分布 ,  精密制御