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J-GLOBAL ID：201702210192751459   整理番号：17A0499179

巨大な誘電性(Nb,In)ドープTiO₂ルチルナノセラミクスにおける誘電緩和および局在電子ホッピング

Dielectric relaxation and localized electron hopping in colossal dielectric (Nb,In)-doped TiO₂ rutile nanoceramics

著者 (4件)： Tsuji Kosuke (Center for Dielectrics and Piezoelectrics, Materials Research Institute, Department of Material Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA. [e-mail]) ,  Han HyukSu ,  Guillemet-Fritsch Sophie ,  Randall Clive A.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 12  ページ： 8568-8574  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温放電プラズマ焼結(SPS)法で合成したNbおよびIn共ドープルチルTiO₂ナノ結晶性セラミック(n-NITO)に対し,誘電分光を行った。このn-NITOの誘電特性は金属電極の接触で大きく影響されない。非常に低温の35 Kより下で,大規模な誘電緩和が観測された。活性化エネルギーと緩和時間の両方から,内部障壁層の効果あるいは双極性緩和の代わりに,巨大な誘電率(CP)とその緩和には電子ホッピング運動が基礎となる機構に関与していることを示唆した。Havriliak-Negami(H-N)当てはめにより,誘電緩和の大きな分布をもつ緩和時間が明らかにされた。この広く分布した緩和現象は,NbおよびInが含まれ,分極機構と局在状態を変更することで誘電緩和を制御することを示している。付随する分布関数を計算して示した。周波数依存a.c.電導度は,この分布関数をもつ局在電子のホッピング伝導モデルで成功裏に説明された。誘電緩和が局在状態にあるホッピング電子と強く相関していることを示した。次にSPS n-NITOにおけるCPをホッピング分極に帰属した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ニオブ ,  *インジウム ,  *酸化チタン ,  *ルチル ,  *誘電緩和 ,  *ホッピング伝導 ,  *電子移動 ,  放電プラズマ焼結 ,  活性化エネルギー ,  緩和時間 ,  誘電率 ,  緩和現象 ,  分極 ,  局在状態 ,  分布関数 ,  周波数依存性 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： *電子ホッピング ,  *コドーピング ,  局在化状態 ,  電導度

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘電性 ,  Nb ,  ドープ ,  TiO2 ,  誘電緩和 ,  電子ホッピング