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J-GLOBAL ID：201702210288314759   整理番号：17A1481648

スーパーキャパシタのための階層的中空NiS_xミクロスフェアのテンプレートフリー合成【Powered by NICT】

Template-free synthesis of hierarchical hollow NiS_x microspheres for supercapacitor

著者 (5件)： Wang J. (State Key Laboratory of Silicon Materials, Key Laboratory of Advanced Materials and Applications for Batteries of Zhejiang Province, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Ma K.Y. (State Key Laboratory of Silicon Materials, Key Laboratory of Advanced Materials and Applications for Batteries of Zhejiang Province, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Zhang J. (State Key Laboratory of Silicon Materials, Key Laboratory of Advanced Materials and Applications for Batteries of Zhejiang Province, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Liu F. (State Key Laboratory of Silicon Materials, Key Laboratory of Advanced Materials and Applications for Batteries of Zhejiang Province, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Cheng J.P. (State Key Laboratory of Silicon Materials, Key Laboratory of Advanced Materials and Applications for Batteries of Zhejiang Province, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
資料名： Journal of Colloid and Interface Science  (Journal of Colloid and Interface Science)
巻： 507  ページ： 290-299  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0279A  ISSN： 0021-9797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 階層的硫化ニッケル(NiS_x)中空ミクロスフェアをか焼と硫化による前駆体としてα-Ni(OH)2ミクロスフェアを用いたテンプレートフリー法で合成することに成功した。H_2/N_2雰囲気下で異なるか焼温度(300°Cと400°C)で形成された,中間Ni中空球体は,硫化プロセス中Ni_3S_2とNiSの同様の形態と混合相を持つNiS_xへと容易に変換できる。NiS_xの中空構造の形成過程を,本研究で検討した。特に,300°CでNi中間球から調製したNiS_xはその小さい結晶サイズ,階層的多孔質構造と高い電気伝導率のために高い質量負荷で0.5Ag~( 1)で153.6mAhg~( 1)の高い比容量を示した。ハイブリッドキャパシタは,負極全電池構成でそれらの実際的応用を検討することで正極と活性炭としてそれを使用することによって組み立てた。ハイブリッドキャパシタは,1.6Vにおける優れた包括的な性能を示した。ハイブリッドコンデンサは,また優れたサイクル安定性を示し,2Ag~( 1)での1000サイクル後に初期比静電容量の81.25%であった。上記の結果は,スーパーキャパシタ用の有望な電極材料としてNiS_x中空球の大きな可能性を示す。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  活性炭 ,  硫化ニッケル ,  *ニッケル ,  結晶 ,  か焼 ,  *ミクロスフェア ,  電極材料 ,  前駆体 ,  硫化
準シソーラス用語： 比静電容量 ,  ハイブリッドキャパシタ ,  比容量 ,  中空球 ,  *スーパーキャパシタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 階層構造 ,  中空球 ,  テンプレート ,  硫化ニッケル ,  電気化学的性能

分類 (2件)： 静電機器  (NB10020R) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： スーパーキャパシタ ,  中空 ,  ミクロスフェア ,  テンプレートフリー合成