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J-GLOBAL ID：201702210322444696   整理番号：17A1138965

4H-SiC/SiO₂界面におけるウェット酸化反応過程に関する理論的検討

著者 (7件)： 堀真輔 (三重大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院) ,  影島博之 (島根大 大学院) ,  植松真司 (慶応大 理工) ,  白石賢二 (名大 院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-PB8-3  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  界面 ,  湿式酸化 ,  *酸化 ,  理論 ,  水 ,  水酸化物イオン ,  過程 ,  計算 ,  極性 ,  エネルギー ,  反応熱 ,  吸熱反応 ,  安定構造 ,  反応速度 ,  発熱反応 ,  基板 ,  C-C結合 ,  C-O結合 ,  *不均一系反応 ,  障壁 ,  律速 ,  *界面反応 ,  酸化速度 ,  第一原理計算 ,  反応エネルギー ,  反応過程
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  ウエット酸化 ,  エネルギー障壁 ,  *酸化反応 ,  律速過程

分類 (3件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  酸化,還元  (CF02060T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  酸化 ,  反応過程 ,  理論