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J-GLOBAL ID：201702210403275153   整理番号：17A0934929

不揮発性低電力クロスバメムキャパシタベース記憶【Powered by NICT】

Non-volatile low-power crossbar memcapacitor-based memory

著者 (3件)： M. Emara Ahmed A. (Electronics and Electrical Communication Engineering, Faculty of Engineering, Cairo University, Giza 12613, Egypt) ,  Aboudina Mohamed M. (Electronics and Electrical Communication Engineering, Faculty of Engineering, Cairo University, Giza 12613, Egypt) ,  Fahmy Hossam A.H. (Electronics and Electrical Communication Engineering, Faculty of Engineering, Cairo University, Giza 12613, Egypt)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 64  ページ： 39-44  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいメモリセルとしてメムキャパシタの使用を提案した。この新しい要素は多くの方向に良好なメモリにつながる可能性がある:非揮発性,速度,密度,および電力消費。著者らの知識の及ぶ限りで,著者らは,メムキャパシタの最初のVerilog-Aモデルを提示し,種々の大きさの完全なクロスバーアレイをメモリセルをシミュレートするためにそれを使用した。読み取り回路は大きなアレイにおける寄生結合の効果を含む抜け道問題を完全に解いた。著者らの解析は,メムキャパシタメモリは少なくともダイナミックRAMに相当する密度を持つが,低消費電力の不揮発性メモリであることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  DRAM ,  *非揮発性 ,  電力消費 ,  不揮発性メモリ ,  記憶素子
準シソーラス用語： 読出回路 ,  Verilog ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： メムキャパシタ ,  メモリ ,  スニークパス

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 不揮発性 ,  低電力