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J-GLOBAL ID：201702210524379643   整理番号：17A0404068

その場成長させたSiCナノワイヤを用いた改良超高温セラミックハイブリッド粉末の作製【Powered by NICT】

Fabrication of modified ultra high-temperature ceramic hybrid powders using in situ grown SiC nanowires

著者 (4件)： Zhong Zhengxiang (MIIT Key Laboratory of Critical Materials Technology for New Energy Conversion and Storage, State Key Laboratory of Urban Water Resource and Environment, School of Chemistry and Chemical Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Yan Liwen (Science and Technology on Advanced Composites in Special Environment Laboratory, Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Liu Li (MIIT Key Laboratory of Critical Materials Technology for New Energy Conversion and Storage, State Key Laboratory of Urban Water Resource and Environment, School of Chemistry and Chemical Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Xu Baosheng (AML, Department of Engineering Mechanics, School of Aerospace Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 3  ページ： 3462-3464  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高温セラミック(UHTC)ハイブリッド粉末のその場成長させたSiCナノワイヤ(SiCNW)を用いて修飾したのは簡単な触媒法により調製することに成功した。自己生産炭素とケイ素源はZrB_2ポリマ前駆体被覆ZrB_2SiC粉末の熱分解過程においてSiCNWsの成長を促進した。結果はSiCNWsの成長は先端成長モデルと蒸気-液体-固体(VLS)成長機構により説明できることを示した。直径200nmのSiCNWsは単結晶性で,含有量は触媒含有量を変えることによって制御することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭素 ,  先端成長 ,  *ナノワイヤ ,  前駆体 ,  *粉体 ,  被覆 ,  単結晶 ,  触媒 ,  熱分解 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 成長メカニズム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： セラミックス ,  SiCナノワイヤ ,  ZrB_2 ,  Microstructure

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (6件)： その場成長 ,  SiC ,  ナノワイヤ ,  超高温セラミック ,  粉末 ,  作製