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J-GLOBAL ID：201702210559541759   整理番号：17A1411520

様々なカチオン組成の非晶質亜鉛-スズ-酸化物上の高度に整流性のSchottky障壁ダイオードを形成する酸素の重要な役割

Vital Role of Oxygen for the Formation of Highly Rectifying Schottky Barrier Diodes on Amorphous Zinc-Tin-Oxide with Various Cation Compositions

著者 (4件)： BITTER Sofie (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU) ,  SCHLUPP Peter (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU) ,  VON WENCKSTERN Holger (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU) ,  GRUNDMANN Marius (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 31  ページ： 26574-26581  発行年： 2017年08月09日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温でレーザ蒸着した非晶質のZnTiO,Zn/(Zn+Sn)含有量は0.12-0.72上へ形成したSchottky障壁ダイオードの電気特性を研究した。Schottky障壁接触は白金の反応方直流スパッタリングにより作成した。上記含有量比が0.63のとき,最良のダイオード特性(整流比=2.7×10⁷,理想因子=1.05,有効障壁高さ=1.25eV)が得られた。日と月のスケールでの時効が観測され,改善された素子特性(高い整流比と低い理想因子)が得られた。改善度の整流比は3.9×10⁷,理想因子は1.12,有効障壁高さは1.31eVになった。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *チタン化合物 ,  *スズ化合物 ,  *非晶質半導体 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  反応性スパッタリング ,  比率 ,  因子 ,  Schottky障壁 ,  時効 ,  電流電圧特性 ,  特性
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  整流比 ,  伝達特性 ,  理想因子

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (10件)： カチオン ,  組成 ,  非晶質 ,  亜鉛 ,  スズ ,  酸化物 ,  整流 ,  Schottky障壁ダイオード ,  酸素 ,  役割