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J-GLOBAL ID：201702210657789628   整理番号：17A1836468

KeyStone IIシステムオンチップ(SoC)66AK2L06のDSPコアのための高エネルギー陽子照射結果【Powered by NICT】

High energy proton irradiation results for the DSP cores of the KeyStone II system-on-chip (SoC) 66AK2L06

著者 (5件)： Chen Qingyu (Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, 3B48 Engineering Building, 57 Campus Drive, Saskatoon, SK, CA) ,  Hiemstra David M. (Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, 3B48 Engineering Building, 57 Campus Drive, Saskatoon, SK, CA) ,  Wang Haibin (Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, 3B48 Engineering Building, 57 Campus Drive, Saskatoon, SK, CA) ,  Chen Li (MDA, Brampton, Ontario L6S 4J3 Canada) ,  Kirischian Valeri (MDA, Brampton, Ontario L6S 4J3 Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NSREC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KeyStoneTM IIシステムオンチップ66AK2L06内のDSPコアのVroton誘起SEU断面積を提示した。宇宙放射線環境のアップセット率を推定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *陽子照射 ,  断面積 ,  宇宙線
準シソーラス用語： *高エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： システムオンチップ ,  SOC ,  DSP ,  コア ,  高エネルギー ,  陽子照射