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J-GLOBAL ID：201702210673864962   整理番号：17A1603970

コンビナトリアル反応性スパッタリングによるZn-Sn₃N₄コンポジションスプレッドを用いて作製した斜方晶ZnSnN₂のピエゾトロニックおよびピエゾフォトトロニック特性

Piezotronic and Piezophototronic Properties of Orthorhombic ZnSnN₂ Fabricated Using Zn-Sn₃N₄ Composition Spreads through Combinatorial Reactive Sputtering

著者 (2件)： KUO Cheng-Hsuan (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  CHANG Kao-Shuo (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 17  号： 9  ページ： 4694-4702  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 斜方晶系ZnSnN₂(ZTN)を作製するための,新規なコンビナトリアル手法について報告する。コンビナトリアル反応性スパッタリングは,フッ素ドープSnO₂/ガラス基板上にZn-Sn₃N₄コンポジションスプレッドを合成するための基盤であった。電流-電圧特性を用いて,ZTNの実質的なピエゾトロニックおよびピエゾフォトトロニック効果を実証した。ピエゾフォトトロニック効果に関して,-5Vのバイアスにおいて印加圧力が0.625から2.5GPaに増加した場合,電流密度は2.5倍に向上した。圧力下でのSchottky障壁高さの変動(S1とS2)を計算し,ZTNの電流-電圧特性をさらに解明した。2.5GPaの圧力下でSiは約1.0増加し,そしてS2は約22mV増減少した。結果はピエゾトロニック効果を示した。

シソーラス用語： 圧電素子 ,  *圧電気 ,  コンビナトリアルケミストリー ,  *反応性スパッタリング ,  *亜鉛化合物 ,  *窒化物 ,  *スズ化合物 ,  *フォトニック結晶 ,  斜方晶系 ,  電流電圧特性 ,  Schottky障壁 ,  X線光電子分光法 ,  X線回折 ,  バンド構造 ,  バンドギャップ ,  *効果
準シソーラス用語： Schottky障壁高さ ,  *ピエゾフォトトロニック効果 ,  *圧電効果

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性スパッタリング ,  Zn ,  スプレッド ,  作製 ,  斜方晶