文献
J-GLOBAL ID:201702210675444082   整理番号:17A1056810

フレキシブルZnOナノロッドベースデバイスのためのスパッタしたZnO透明導電性シード層の最適化【Powered by NICT】

Optimization of sputtered ZnO transparent conductive seed layer for flexible ZnO-nanorod-based devices
著者 (6件):
資料名:
巻: 634  ページ: 169-174  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
高分子基板上の無機透明導電性酸化物膜の作製は,フレキシブルエレクトロニクスの分野での潜在的な用途により関心を増してきた。本研究の主題は,ZnOナノロッドベースデバイスにおけるアルミニウム酸化亜鉛(AZO)膜によって優先的に使用されているインジウムすず酸化物膜を置換し,ナノロッド成長のためのシード層の役割を組み合わせた100Ω/sqより低いシート抵抗を示した。厚さ300nmまでの調べたAZO薄膜は,(i)ZnO/Al_2O_3ターゲットから高周波マグネトロンスパッタリングと(ii)アルゴン雰囲気中でZnOとAlターゲットからの同時スパッタリングにより厚み150μmのポリエチレンテレフタレート基板上に堆積した。160nmとシート抵抗の良好な透明度と厚さ100Ω/sq以下でAZO膜を共スパッタリングで調製した。同時スパッタリングは,AZO膜中のAl原子の活性化のために低い膜抵抗率をもたらすことが分かった。ZnOナノロッド成長は両タイプの膜で実証された,同時スパッタしたAZO膜は,純粋な(非ドープ)ZnO膜で被覆されたZnOナノロッド形態を改善した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜 

前のページに戻る