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J-GLOBAL ID：201702210921602283   整理番号：17A0040784

電析Cu膜の室温粒成長に及ぼす水素の影響

著者 (5件)： 福室直樹 (兵庫県立大学大学院工学研究科化学工学専攻) ,  吉田裕輝 (兵庫県立大学大学院工学研究科化学工学専攻) ,  山崎貴昭 (兵庫県立大学大学院工学研究科化学工学専攻) ,  深井有 (東京大学生産技術研究所) ,  八重真治 (兵庫県立大学大学院工学研究科化学工学専攻)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 80  号： 12  ページ： 736-739(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Cu微細配線などに用いられる硫酸銅めっきにおいては,電析後のCu膜の結晶粒が室温で時間の経過とともに粗大化して電気抵抗と硬さが低下する「室温再結晶」が起こることが知られている。そこで本研究では,エチレンジアミン四酢酸四ナトリウム(EDTA)錯体浴とエチレンジアミン(EDA)錯体浴から電析したCu膜の室温粒成長について膜中に共析した水素の挙動,結晶配向性,残留応力および炭素含有率の影響を調べた。その結果,1)EDTA錯体浴とEDA錯体浴から作製したCu膜には,いずれも室温粒成長を確認した。また,それぞれx=78.1×10^-4とx=98.2×10^-4の高濃度の水素が含まれ,これは室温での時間の経過とともに脱離した。2)室温粒成長の過程でCu膜の優先配向面と残留応力の変化はめっき浴によって異なった。3)室温粒成長が観察されたCu膜にはいずれも高濃度の水素が含まれており,粒成長とともに水素含有率は減少した。などの知見を得た。

シソーラス用語： *電着 ,  *銅 ,  *薄膜 ,  室温 ,  再結晶 ,  結晶成長 ,  結晶方位 ,  残留応力 ,  優先配向 ,  *水素 ,  空格子点 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  経時変化 ,  熱脱着スペクトル ,  *金属組織 ,  *電気めっき ,  結晶粒粗大化 ,  めっき液 ,  硫酸銅 ,  アルキレンジアミン ,  ジアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： 空孔-水素クラスタ ,  結晶配向性 ,  *水素濃度 ,  炭素含有量

著者キーワード (10件)： electrodeposited copper film ,  grain growth ,  hydrogen-induced superabundant vacancies ,  crystal orientation ,  residual stress ,  electrodeposited copper film ,  grain growth ,  hydrogen-induced superabundant vacancies ,  crystal orientation ,  residual stress

分類 (2件)： その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  電気めっき  (WC08023B)

物質索引 (2件)： エチレンジアミン ,  エチレンジアミン四酢酸テトラナトリウム

引用文献 (24件)：

• 1) J. M. E. Harper, C. Cabral, Jr., P. C. Andricacos, L. Gignac, I. C. Noyan, K. P. Rodbell and C. K. Hu: J Appl. Phys. 86(1999) 2516–2525.
• 2) S. H. Brongersma, E. Richard, I. Vervoort, H. Bender, W. Vandervorst, S. Lagrange, G. Beyer and K. Maexc: J. Appl. Phys. 86(1999) 3642–3645.
• 3) C. Lingk, M. E. Gross and W. L. Brown: J. Appl. Phys. 87(2000) 2232–2236.
• 4) H. Lee, S. S. Wong and S. D. Lopatin: J. Appl. Phys. 93(2003) 3796–3804.
• 5) V. A. Vas'ko, I. Tabakovic and S. C. Riemer: Electrochem. Solid-State. Lett. 6(2003) C100–C102.

タイトルに関連する用語 (5件)： 電析 ,  Cu ,  室温 ,  粒成長 ,  水素