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J-GLOBAL ID：201702211076153501   整理番号：17A0665550

低電圧ハイブリッドトランジスタのグラフェンと応用の直接移動【Powered by NICT】

Direct transfer of graphene and application in low-voltage hybrid transistors

著者 (6件)： Zhu Huihui (College of Material Science and Engineering, Lab of New Fiber Materials and Modern Textile, Growing Base for State Key Laboratory, Qingdao University, Qingdao 266071, China. [e-mail]) ,  Liu Ao ,  Shan Fukai ,  Yang Wenrong ,  Barrow Colin ,  Liu Jingquan
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 4  ページ： 2172-2179  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいスコッチテープは異なる軟質と硬質基板,紙,ポリエチレンテレフタレート,平面および曲面ガラス,SiO_2/Siを含む上へのグラフェンの直接移動を支援し,溶液処理高k誘電体層を提示した。この容易なグラフェン移動過程はテープとターゲット基板に対するグラフェンの接着エネルギーの差により駆動される。さらに,スコッチテープによる移したグラフェン膜は,より清潔で,連続,ドープおよびPMMAにより移されたものより高品質であることが分かった。それに基づいて,テープ転写されたグラフェンを,異なるゲート誘電体(すなわち,SiO_2と高k ZrO_2)の酸化物薄膜トランジスタ(TFT)におけるキャリア輸送層として使用した。In_2O_3/グラフェン/SiO_2TFTは404cm~2V~ 1s~ 1の高い電子移動度と10~5の高いオン/オフ電流比を示したが,相手In_2O_3/グラフェン/ZrO_2TFTは3Vの超低動作電圧,SiO_2~ベースデバイスのそれよりも20倍低いでの改善された電子輸送特性を示した。とは対照的に,PMMA転写グラフェンとZrO_2~-を基本とするTFTは検出電気的性質を示した。それ故,提案したスコッチテープ支援移動法はグラフェン膜の生成とグラフェン電界効果トランジスタ(GFET)を超えた広い実用的な応用のための,より費用効果が高く環境に優しいモードにおける他の二次元材料に特に有用であろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポリメタクリル酸メチル ,  FET【トランジスタ】 ,  薄膜トランジスタ ,  ポリエチレンテレフタレート ,  *グラフェン ,  ゲート絶縁膜 ,  ガラス ,  ドーピング ,  電気的性質 ,  酸化物
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  キャリア輸送 ,  高k誘電体 ,  溶液処理 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電圧 ,  トランジスタ ,  グラフェン ,  応用