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J-GLOBAL ID：201702211162380058   整理番号：17A0468067

マイクロ波照射を使った水の中での酸化ニッケル(NiO)の新たな簡単な合成

Simple new synthesis of nickel oxide (NiO) in water using microwave irradiation

著者 (4件)： ALLAHYAR Soheil (Damghan Univ., Damghan, IRN) ,  TAHERI Milad (Islamic Azad Univ., Yazd, IRN) ,  ABHARYA Amir (Damghan Univ., Damghan, IRN) ,  MOHAMMADI Kolsom (Islamic Azad Univ., Gorgan, IRN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 3  ページ： 2846-2851  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面活性剤や捕獲剤などを使用せずに簡単で安価なマイクロ波照射を用いて水溶液中で酸化ニッケルナノ球を合成した。酸化ニッケル試料として四つの試料:未焼成のもの,300°C/400°C/500°C焼成のものを用いて,その構造,形態,成長機構,吸収スペクトル,バンドギャップなどを調べた。焼成温度の増加と共に吸収スペクトルは赤方遷移した。500°C焼成の試料はブロックサイズが最適であり,バンドギャップは他の三つの試料と比べて最低である。

シソーラス用語： *酸化ニッケル ,  *化合物半導体 ,  マイクロ波照射 ,  合成 ,  ミクロスフェア ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  FTIR分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  ナノ粒子 ,  焼成 ,  吸収スペクトル ,  バンドギャップ ,  結晶成長 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *酸化物半導体 ,  面心立方構造

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

物質索引 (1件)： 酢酸ニッケル

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロ波照射 ,  水 ,  酸化ニッケル