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J-GLOBAL ID：201702211261903644   整理番号：17A0650932

V₂O₃薄膜におけるスピン波のラマン分光

Raman spectroscopy studies of spin-wave in V₂O₃ thin films

著者 (5件)： CHEN Xiang-Bai (Wuhan Inst. of Technol., Wuhan, CHN) ,  KONG Meng-Hong (Wuhan Inst. of Technol., Wuhan, CHN) ,  CHOI Jeong-Yong (Metal-Insulator-Transition Lab., Daejeon, KOR) ,  KIM Hyun-Tak (Univ. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  KIM Hyun-Tak (Metal-Insulator-Transition Lab., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 49  号： 46  ページ： 465304,1-5  発行年： 2016年11月23日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,V₂O₃薄膜のスピン波周波数の膜厚依存性について報告した。ゾル-ゲル法と逐次アニーリング法を用いて,C面サファイア基板上にV₂O₃薄膜を3種類の異なる厚さで成長した。X線回折測定により,V₂O₃薄膜の構造特性および結晶学的特性を調べ,走査電子顕微鏡画像からV₂O₃薄膜の厚さを推定した。ラマンマイクロプローブ分光計を用いた後方散乱構成から,V₂O₃薄膜のラマン散乱スペクトルを得た。著者等は,V₂O₃薄膜のスピン波強度の向上が,オンサイトV 3d-3dクーロンエネルギーと相関する共鳴効果によるものであり,スピン波強度の向上は,スピン波周波数の膜厚依存性により,V₂O₃の450cm^-1のスピン波が基底面に存在することを示した。

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  *薄膜 ,  *スピン波 ,  *Raman分光法 ,  周波数 ,  *依存性 ,  ゾル-ゲル法 ,  焼なまし ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  画像 ,  膜厚 ,  構造特性 ,  マイクロプローブ ,  顕微Raman分光法 ,  後方散乱 ,  共鳴 ,  効果 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： Raman分光 ,  アニーリング処理 ,  走査電子顕微鏡画像 ,  Ramanマイクロプローブ ,  共鳴効果 ,  *膜厚依存性

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  無機化合物の赤外・Ramanスペクトル(分子)  (BH06032B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  スピン波 ,  ラマン分光