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J-GLOBAL ID：201702211263202577   整理番号：17A0759473

バルクAlN及びAlNテンプレート上の数層グラフェンの高温アニーリングとCVD成長【Powered by NICT】

High temperature annealing and CVD growth of few-layer graphene on bulk AlN and AlN templates

著者 (13件)： Dagher R. (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA (UPR10), France) ,  Matta S. (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA (UPR10), France) ,  Parret R. (Laboratoire Charles Coulomb - CNRS/Universite de Montpellier, Pl. Eugene Bataillon, 34095 , Montpellier, France) ,  Paillet M. (Laboratoire Charles Coulomb - CNRS/Universite de Montpellier, Pl. Eugene Bataillon, 34095 , Montpellier, France) ,  Jouault B. (Laboratoire Charles Coulomb - CNRS/Universite de Montpellier, Pl. Eugene Bataillon, 34095 , Montpellier, France) ,  Nguyen L. (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA (UPR10), France) ,  Portail M. (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA (UPR10), France) ,  Zielinski M. (NOVASiC, Savoie Technolac, Arche Bat 4, BP267, 73375, Le Bourget du Lac, France) ,  Chassagne T. (NOVASiC, Savoie Technolac, Arche Bat 4, BP267, 73375, Le Bourget du Lac, France) ,  Tanaka S. (Department of Applied Quantum Physics and Nuclear Engineering, Kyushu University, 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka, 819-0395, Japan) ,  Brault J. (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA (UPR10), France) ,  Cordier Y. (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA (UPR10), France) ,  Michon A. (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA (UPR10), France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600436  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンとAlNが有望な材料である,結合する興味がある。本研究では,バルクAlN上のグラフェンの直接成長と化学蒸着を用いたAlNテンプレート,高温でのこれらの基板のアニーリングを含むに関する最初の結果を報告する。原子間力顕微鏡(A FM)は,アニーリングと成長させた後,AlN表面形態の進化を研究することを可能にした。数層グラフェン堆積をX線光電子放出及びRaman分光法に基づいて実証した。バルクAlNのN面上のグラフェンのしわのA FM観察。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  *焼なまし ,  *窒化アルミニウム ,  *グラフェン ,  X線 ,  化学蒸着 ,  光電子放出 ,  *高温
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *数層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： AlN ,  アニーリング ,  原子間力顕微鏡観察 ,  化学蒸着 ,  グラフェン ,  成長 ,  Raman分光法 ,  X線光電子放出分光法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  AlN ,  テンプレート ,  数層グラフェン ,  アニーリング ,  CVD ,  成長