オプトエレクトロニクス応用のための蛍光,電気活性,熱的に安定なトリフェニルアミンとナフタレン系ポリイミド【Powered by NICT】

Khalid Naila; Khalid Naila; Park O. OK; Akhter Toheed; Siddiqi Humaira M.

文献

J-GLOBAL ID：201702211324852222 整理番号：17A0747672

オプトエレクトロニクス応用のための蛍光,電気活性,熱的に安定なトリフェニルアミンとナフタレン系ポリイミド【Powered by NICT】

Fluorescent, electroactive, thermally stable triphenylamine- and naphthalene-based polyimides for optoelectronic applications

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巻： 134 号： 9 ページ： ROMBUNNO.44526 発行年： 2017年
JST資料番号： C0467A ISSN： 0021-8995 CODEN： JAPNAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ポリイミドの光物理的性質(PI)を調整するために,N~1-(4-アミノフェニル)-N~1-[(4-ナフタレン-2-イルオキシ)フェニル]ベンゼン-1,4-ジアミン(DA),ナフタレン及びトリフェニルアミン単位を含むジアミンを合成した。合成したDAからの蛍光電気活性新しいPI一連の二無水物と従来の熱イミド化により調製した。選択した二無水物をオプトエレクトロニクス特性と材料の加工性に及ぼす主重合体骨格中の剛体平面フェニル,柔軟なフェノキシ,非平面フレキシブルhexafluoroisopropyideneとカルボニル基の影響を研究し,比較した。合成したジアミンとそのPIの構造をスペクトルおよびCHNS元素分析によって評価した。PIsのオプトエレクトロニクスおよび熱的性質は強い青色発光(428 477 nm),低酸化電位(0.3 1.3 V),および低い最高被占分子軌道-最低空分子軌道ギャップ(2.92 3.21 eV)を明らかにした。合成したPIsの観察された挙動と性質はオプトエレクトロニクス応用における将来の正孔輸送材料としてのそれらの可能性を示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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