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J-GLOBAL ID:201702211458662827   整理番号:17A0982177

β-GeSeの高圧合成およびキャラクタリゼーション 異常なボートコンフォメーション中での6員環半導体

High-Pressure Synthesis and Characterization of β-GeSe-A Six-Membered-Ring Semiconductor in an Uncommon Boat Conformation
著者 (6件):
資料名:
巻: 139  号:ページ: 2771-2777  発行年: 2017年02月22日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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近年,二次元物質は,エレクトロニクスなどへ適用される可能性を有することから,多大の関心を集めている。本稿では,ユニークな二次元構造をもつβ-GeSeの合成とキャラクタリゼーションを行った結果を報告する。β-GeSeは高温高圧で合成し,環境条件下で安定であった。その結晶構造は斜方晶系で層状構造を示した。β-GeSeの層は,頂点がボートコンフォメーション配置を示す六員環から構成された。六員環構造は,層間相互作用により安定化されると考察した。電子構造計算から,β-GeSeは半導体であり,そのバルクのバンドギャップ値は,α-GeSeと黒リン両者の値の間にあることが分った。β-GeSeの展望も論じた。
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分類 (3件):
分類
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無機化合物一般及び元素  ,  分子化合物  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (5件):
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