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J-GLOBAL ID：201702211521927466   整理番号：17A1238030

立方晶GaNエピ層の光ルミネセンスによる研究【Powered by NICT】

Photoluminescence studies of cubic GaN epilayers

著者 (14件)： Church S. A. (School of Physics and Astronomy, Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Hammersley S. (School of Physics and Astronomy, Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Mitchell P. W. (School of Physics and Astronomy, Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Kappers M. J. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, UK) ,  Sahonta S. L. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, UK) ,  Frentrup M. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, UK) ,  Nilsson D. (Anvil Semiconductors Ltd., Future Business Centre, King’s Hedges Road, Cambridge CB4 2HY, UK) ,  Ward P. J. (Anvil Semiconductors Ltd., Future Business Centre, King’s Hedges Road, Cambridge CB4 2HY, UK) ,  Shaw L. J. (Anvil Semiconductors Ltd., Future Business Centre, King’s Hedges Road, Cambridge CB4 2HY, UK) ,  Wallis D. J. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, UK) ,  Humphreys C. J. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, UK) ,  Oliver R. A. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, UK) ,  Binks D. J. (School of Physics and Astronomy, Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Dawson P. (School of Physics and Astronomy, Photon Science Institute, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVD法による3C-SiC/Si(001)基板上に成長させた立方晶GaN膜のルミネセンス特性を調べた。スペクトルは,ドナー束縛励起子再結合とドナー-アクセプタ対再結合に関連する発光ピークを示した。文献で報告された値と比較してD~0X放出の減少したピークエネルギーは約3.27eVの引張歪低下したバンドギャップ,光ルミネセンス励起分光法における吸収端と一致しているを示唆した。六方晶物質の存在は,190meVのFWHMを持つ3.40eVの広い発光バンドを紹介し,3.60eVまでのエネルギーにまで延長している。この発光の強度は励起パワー,そのピークエネルギーと幅はそのままで,直線的に比例する。このバンドは3.70eV以下の吸収端と関連し,したがって純粋な立方晶または六方晶GaNへの吸収によるものではない。このバンドを横切って測定された光ルミネセンス寿命は発光エネルギーの増加と共に0.40から0.20nsに低減した。すべてのこれらの観察は,立方晶GaN内の積層欠陥に隣接するII型バンドアラインメントを考慮することにより説明できた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光 ,  MOCVD ,  吸収端 ,  再結合 ,  *窒化ガリウム ,  *ルミネセンス ,  六方晶系 ,  バンドギャップ ,  FWHM ,  ドナー-アクセプタ対 ,  *光ルミネセンス ,  励起 ,  ドナー ,  積層欠陥 ,  束縛励起子 ,  格子欠陥

著者キーワード (5件)： 立方晶GaN ,  包有物 ,  光ルミネセンス ,  積層欠陥 ,  閃亜鉛鉱型構造

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 立方晶 ,  GaN ,  エピ層 ,  光ルミネセンス ,  研究