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J-GLOBAL ID:201702211532211306   整理番号:17A1570300

ナノエレクトロニクスと真空ナノ電子デバイス,指導を用いたTHz技術【Powered by NICT】

THz technology with nanoelectronic and vacuum nanoelectronic devices, a tutorial
著者 (1件):
資料名:
巻: 2017  号: IVNC  ページ: 8-9  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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コンパクトTHz(>100 GHz)ナノエレクトロニクスおよび真空ナノ電子デバイスの製造のための新しいデバイス概念と材料は広帯域通信のための特に興味深い,パッケージと化学物質の安全性スクリーニング,生物医学的検査,および他の応用である。特に,新しいコンパクトで室温THzイメージングシステムと同様に環境モニタリングは大きな社会経済的関心の適用である。このチュートリアルでは,GaAs,InGaAs及びGaN材料を用いた通常の固相素子に比べてカットオフ周波数と出力電力を改善するための機能性電界エミッタに基づいたナノ接触と小型化真空管に基づく新しいTHz光混合器を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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