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J-GLOBAL ID：201702211562071670   整理番号：17A1492690

プリディストーション技術を用いた線形超広帯域低雑音増幅器【Powered by NICT】

A linear ultra wide band low noise amplifier using pre-distortion technique

著者 (3件)： Jafarnejad Roya (Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran) ,  Jannesari Abumoslem (Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran) ,  Sobhi Jafar (Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Tabriz, Tabriz, Iran)
資料名： AEUe  (AEUe)
巻： 79  ページ： 172-183  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0447A  ISSN： 1434-8411  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,超広帯域(UWB)高線形低雑音増幅器を提案した。共通ゲート(CG)構造の直線性は予歪技術に基づいて改善した。補助トランジスタは電源電流の非線形項を沈降への入力に用い,得られた直線性改善である。さらに,インダクタは主な増幅トランジスタのゲート,より高い周波数で利得,入力整合および雑音性能を改善する効率的に使用されている。詳細な数学的解析は線形性改善と帯域幅拡張技術の有効性を示した。TSMC社の0.18μm RF-CMOSプロセスで提案したLNAのレイアウト後のシミュレーション結果は, 3dB帯域幅0.8 10~12.4GHzの3dBの最小雑音指数(NF)13.7dBの利得を示した。10.3~13dBmの入力三次インターセプトポイント(IIP3)は,従来の共通ゲート構造と比較して8dB向上を示す達成された。コア回路はボンディングパッドを含み0.19mm~2の面積を占有し,1.8V電源から4mAを消費した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *低雑音増幅器 ,  シミュレーション ,  電流 ,  帯域幅 ,  周波数 ,  予歪 ,  雑音指数 ,  利得 ,  *線形性 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： ボンディングパッド ,  IIP3 ,  帯域幅拡張 ,  *超広帯域 ,  *プリディストーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 超広帯域(UWB) ,  低雑音増幅器(LNA) ,  線形性 ,  プリディストーション ,  帯域幅拡張

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： プリディストーション ,  線形 ,  広帯域 ,  低雑音増幅器