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J-GLOBAL ID：201702211589580936   整理番号：17A1424194

グラフェン中に埋め込まれたCo/N_4クラスタ上の可逆的水素吸着:電荷操作の役割【Powered by NICT】

Reversible hydrogen adsorption on Co/N₄ cluster embedded in graphene: The role of charge manipulation

著者 (1件)： Omidvar Akbar (Young Researchers and Elite Club, Lahijan Branch, Islamic Azad University, Lahijan, Iran)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 493  ページ： 85-90  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン(Co/N_4g)中に埋め込まれたCo/N_4クラスタの帯電は電気化学的スイッチ可能な水素吸着のためのアプローチとして提案した。密度汎関数理論を用いて,H_2分子は弱い非荷電Co/N_4gクラスタに吸着されることを見出した。著者らの結果は,Co/N_4gクラスタ上の水素分子の吸着エネルギーはクラスタに余分な正電荷を導入することにより著しく増加することを示した。電荷が除去され,H_2分子は自発的にCo/N_4g吸着剤から脱着する。それゆえに,この方法は,特異的な触媒を必要としない容易な可逆性と調整可能な速度の両方を約束する。著者らの研究は,Co/N_4gナノ材料はH_2の制御可能かつ可逆的吸着と放出のための優れた吸着剤であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電荷 ,  ナノ材料 ,  密度汎関数法 ,  吸着剤 ,  *吸着 ,  *グラフェン ,  電気化学 ,  吸着エネルギー ,  *クラスタ ,  可逆性 ,  スイッチ
準シソーラス用語： 正電荷 ,  水素分子 ,  *水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素吸着 ,  グラフェン中に埋め込まれたCo/N_4クラスタ ,  電極触媒スイッチ可能な材料 ,  電荷操作 ,  密度汎関数理論

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  CO ,  クラスタ ,  水素吸着 ,  電荷 ,  役割