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J-GLOBAL ID：201702211595827775   整理番号：17A1459091

ゾル-ゲル法により調製したPbTiO_3ベース強誘電体膜の増強された光起電力特性【Powered by NICT】

Enhanced photovoltaic properties of PbTiO₃-based ferroelectric thin films prepared by a sol-gel process

著者 (8件)： Li Haimin (College of Materials Science and Engineering, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China) ,  Li Haimin (Photovoltaic industry institute of technology, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China) ,  Zhu Jianguo (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610000, China) ,  Wu Qianbao (College of Materials Science and Engineering, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China) ,  Zhuang Jia (College of Materials Science and Engineering, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China) ,  Guo Hongli (Yangtze Normal University, Fuling 408100, China) ,  Ma Zhu (College of Materials Science and Engineering, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China) ,  Ye Yizhi (College of Materials Science and Engineering, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 16  ページ： 13063-13068  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PbTiO_3(PTO),Pb(Mn_0 1Ti_0)O_3(PMTO),Pb(Sr_0 1Ti_0)O_3(PSTO)及びPb(Zr_0 1Ti_0)O_3(PZTO)をゾル-ゲル法により酸化インジウムスズ(ITO)/ガラス基板上に作製した。PTO,PMTO,PSTO,PZTO膜は3.55eV,3.63eV,3.59eV,3.66eVのエネルギーバンドギャップを示した。これら全ての膜は高いシフト電流に起因する高い光電流を発生させ,キャリア移動チャンネルは膜とITO基板の間の格子不整合を用いて成功裡に導入した。PMTO薄膜は最高の強誘電特性と光起電力特性を示し,0.74Vの光電圧,70μA/cm~2の光電流密度および43.34%のフィルファクタ,シフト電流と強誘電分極は強誘電性光起電力特性に影響する二つの主要な因子であることを確認した。電場強度は10kV/cm以下であったときPSTO,PZTO,PTO薄膜を,空間電荷制限電流(SCLC)を示し,電場強度は10kV/cm以上であったとき,これら三膜は崩壊した。シフト電流機構の解析はPZTOとPSTO薄膜の破壊はプールフレンケル放出電流からなることを確認した。PMTO薄膜は試験範囲,Mnのドーピングは強誘電体薄膜における欠陥形成を阻害したことを示しているにおけるSCLCを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光起電力 ,  強誘電性 ,  電流 ,  *強誘電体 ,  酸化インジウムスズ ,  マンガン ,  電圧 ,  光電流 ,  *ゾル-ゲル法 ,  電界強度 ,  電流密度 ,  薄膜 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 強誘電分極 ,  *強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 強誘電体光起電力 ,  PbTiO_3 ,  ドーピング ,  シフト電流機構

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル法 ,  調製 ,  強誘電体膜 ,  増強 ,  光起電力