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文献
J-GLOBAL ID:201702211616171503   整理番号:17A1355485

CoFeB/W/CoFeB自由層を有する磁気トンネル接合の磁気的および輸送特性に及ぼすタングステンのスパッタリング条件の影響【Powered by NICT】

Impact of sputtering condition for tungsten on magnetic and transport properties of magnetic tunneling junction with CoFeB/W/CoFeB free layer
著者 (15件):
資料名:
巻: 2017  号: INTERMAG  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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垂直容易軸(p MTJs)CoFeB-MgOベースの磁気トンネル接合を用いたスピントランスファトルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリは,低消費電力と高性能の両方[1-3]をもつ電子を提供する上でそれらが高い可能性を示すことから注目を集めている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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半導体集積回路  ,  その他の接合 

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