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J-GLOBAL ID：201702211691809433   整理番号：17A1019945

III/V合金のエピタキシャル成長のための熱力学的考察【Powered by NICT】

Thermodynamic considerations for epitaxial growth of III/V alloys

著者 (1件)： Stringfellow G.B. (University of Utah, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 11-16  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III/V族半導体合金は電子とフォトニックデバイスのためのそれらの有用性のために広く研究されている。それにもかかわらず,特定の応用のための新しい合金の探索が続いている。熱力学的因子はエピタキシャル成長プロセスによりアクセス可能な組成範囲を制限し,特に特定の副格子に及ぼす混合原子間のサイズ差が大きい。これは固相非混和性を引き起こし,エピタキシャル成長,得られた合金の性質と,その結果として,素子性能に重要な影響をもたらした。原子サイズは非常に異なるが厳密な熱力学的限界は先進LED,レーザ,太陽電池への応用が検討されているいくつかの合金について存在し,GaInN,GaAsNとGaAsBiなど。本論文では,エピタキシャル成長プロセスの基本的な熱力学と半導体合金における混合だけでなく,得られた複雑なミクロ組織の原因と結果をレビューした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱力学的極限 ,  *合金 ,  副格子 ,  *バナジウム合金 ,  レーザ ,  固相 ,  *熱力学 ,  太陽電池 ,  *エピタクシー ,  半導体
準シソーラス用語： 非混和性 ,  フォトニックデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A.1相図 ,  A.3有機金属気相エピタクシー ,  B2半導性III-V材料 ,  B3発光ダイオード ,  B.3太陽電池

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： V合金 ,  エピタキシャル成長 ,  熱力学