三元イリジウム-ヒ化物BaIr<sub>2</sub>As<sub>2</sub>の超伝導性

WANG Xiao-Chuan; RUAN Bin-Bin; YU Jia; PAN Bo-Jin; MU Qing-Ge; LIU Tong; CHEN Gen-Fu; CHEN Gen-Fu; CHEN Gen-Fu; REN Zhi-An; REN Zhi-An; REN Zhi-An

文献

J-GLOBAL ID：201702211744029210 整理番号：17A0521920

三元イリジウム-ヒ化物BaIr₂As₂の超伝導性

Superconductivity in the ternary iridium-arsenide BaIr₂As₂

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Superconductor Science and Technology (Superconductor Science and Technology)

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巻： 30 号： 3 ページ： 035007,1-4 発行年： 2017年03月08日
JST資料番号： T0607A ISSN： 0953-2048 CODEN： SUSTEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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この論文では,高圧合成法を使用する新しい三元ThCr₂Si₂型イリジウムプニクタイド化合物BaIr₂As₂の合成を報告した。2.45Kでのバルク超伝導性が低温抵抗,磁化率,および比熱特性のキャラクタリゼーションによってBaIr₂As₂において示された。電気抵抗,および磁化率によって,2.45Kの臨界温度(T_c),および0.2Tの上部臨界場μ₀H_c2(0)を有するタイプIIの超伝導体であることが見出された。低温比熱特性は約202KのDebye温度とΔC_c/γT_c=1.36で明瞭な特有なジャンプを与えた。それは1.43のBCSの弱い結合極限に近い。

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