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J-GLOBAL ID：201702211820099947   整理番号：17A1592774

Zn(O,S)薄膜の性能及びCu2ZnSnSe4薄膜電池に及ぼす堆積時間の影響を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Deposition Time on the Zn(O,S) Thin Film Properties and Cu2ZnSnSe4 Thin Film Solar Cells

著者 (8件)： Liu Xiaoru (南開大学光電子薄膜器件与技術研究所,天津,300071) ,  Li Jianjun (南開大学光電子薄膜器件与技術研究所,天津,300071) ,  Liu Wei (南開大学光電子薄膜器件与技術研究所,天津,300071) ,  Liu Fangfang (南開大学光電子薄膜器件与技術研究所,天津,300071) ,  Ao Jianping (南開大学光電子薄膜器件与技術研究所,天津,300071) ,  Sun Yun (南開大学光電子薄膜器件与技術研究所,天津,300071) ,  Zhou Zhiqiang (南開大学光電子薄膜器件与技術研究所,天津,300071) ,  Zhang Yi (南開大学光電子薄膜器件与技術研究所,天津,300071)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 46  号： 4  ページ： 578-583  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 無カドミウム材料Zn(O,S)はそのバンドギャップが広く、調節可能で、無毒で無害であるなどの利点をバッファ層材料として重点的に研究し、化学浴法によりZn(O,S)薄膜を調製した。Zn(O,S)薄膜の組成,構造特性,光学的性質及び形態に及ぼす堆積時間の影響を調べた。XRD試験により、水浴法により調製したZn(O、S)薄膜は非晶質であることが分かった。透過スペクトルの測定により、薄膜の光学透過率が比較的高い(>80%)ことが分かった。表面形態試験により、30minの時、Zn(O、S)薄膜は緻密で均一な小さい粒子であることが分かった。Zn(O,S)薄膜をCZTSe電池に応用し,30分で高いデバイス変換効率5.37%を得た。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  形態 ,  透過率 ,  バッファ層 ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  構造特性 ,  非晶質 ,  *電池 ,  光学的性質
準シソーラス用語： 変換効率 ,  表面形態 ,  透過スペクトル ,  *薄膜電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Cd-free buffer layer ,  chemical bath depositon ,  Zn(O ,  S) ,  CZTSe thin film solar cell ,  deposition time

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zn ,  薄膜 ,  薄膜電池 ,  堆積