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J-GLOBAL ID：201702211854465746   整理番号：17A1556208

細胞フロントエンドモジュールのための広帯域高効率エンベロープ追跡供給変調器【Powered by NICT】

A wide-band high-efficiency envelope tracking supply modulator for cellular front-end module

著者 (5件)： Xiao Yanbin (Beijing Key Laboratory of Radio Frequency IC Technology for Next Generation Communications, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Quan (Beijing Key Laboratory of Radio Frequency IC Technology for Next Generation Communications, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Yu (Beijing Key Laboratory of Radio Frequency IC Technology for Next Generation Communications, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Zhiqiang (Beijing Key Laboratory of Radio Frequency IC Technology for Next Generation Communications, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Haiying (Beijing Key Laboratory of Radio Frequency IC Technology for Next Generation Communications, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFIT  ページ： 10-12  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電池供給されるフロントエンドモジュール(FEM)に使用される包絡線追跡(ET)供給変調器は大域的鋳造工場0.18μmシリコンオンインシュレータ(SOI)CMOSプロセスで作製した。ハイブリッドトポロジー供給変調器は効率を改善するために地上ブースティング技法を採用した。新しいOTAと共に新しい補償トポロジーは,限られた静止電流改善されGBWと安定性のために用いた。測定では,6MHz CW信号と7.3Ω/220pF負荷,供給変調器は38dBcのSFDRを有する57dBcのSFDRと効率80%で85%の効率を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電池 ,  *広帯域 ,  位相幾何学 ,  *変調器 ,  鋳造工場 ,  電流
準シソーラス用語： SFDR ,  CMOSプロセス ,  包絡線追跡 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 移動通信  (ND08030H) ,  車体構造とぎ装  (QG03060R) ,  自動車設計・構造・材料一般  (QG03010O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 細胞 ,  フロントエンドモジュール ,  広帯域 ,  高効率 ,  エンベロープ ,  追跡 ,  変調器