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J-GLOBAL ID：201702211899120588   整理番号：17A0133055

空間修正された指数的状態密度を用いる非晶質半導体のホッピング電荷輸送

Hopping charge transport in amorphous semiconductors with the spatially correlated exponential density of states

著者 (1件)： Novikov S. V. (A.N. Frumkin Institute of Physical Chemistry and Electrochemistry, Leninsky prosp. 31, Moscow 119071, Russia)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 146  号： 2  ページ： 024504-024504-8  発行年： 2017年01月14日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空間修正された指数的状態密度を用いる非晶質半導体のホッピング電荷輸送について検討した。擬平衡(非分散)輸送領域について平均キャリア速度を厳密計算した。あわせて非平衡分散領域のキャリア速度の考察における発見的方法を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  状態密度 ,  *ホッピング伝導 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 電荷輸送

分類 (2件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 指数 ,  状態密度 ,  非晶質半導体 ,  ホッピング ,  電荷輸送