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J-GLOBAL ID：201702211899477346   整理番号：17A0046849

Kaバンド・ワンチップSiGe BiCMOSフェイズドアレイ送受信機フロントエンド

A Ka-Band Single-Chip SiGe BiCMOS Phased-Array Transmit/Receive Front-End

著者 (8件)： Liu Chao (Institute of Integrated Circuits and Systems and School of Microelectronics and Solid State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, China) ,  Li Qiang (Institute of Integrated Circuits and Systems and School of Microelectronics and Solid State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Li Yihu (Semiconductor Device Research Laboratory, Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China) ,  Deng Xiao-Dong (Semiconductor Device Research Laboratory, Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China) ,  Tang Hailin (Semiconductor Device Research Laboratory, Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China) ,  Wang Ruitao (Semiconductor Device Research Laboratory, Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China) ,  Liu Haitao (Semiconductor Device Research Laboratory, Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China) ,  Xiong Yong-Zhong (Semiconductor Device Research Laboratory, Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 64  号： 11  ページ： 3667-3677  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本文はSiGe BiCMOS技術におけるKaバンドワンチップ送受信機(TX/RX)フロントエンドを提案した。このフロントエンドには単極双投スイッチ,低雑音増幅器,損失補償増幅器(LCA),移相器,電力増幅器を含み,分布増幅器を利得増幅器に用いて広帯域性能を補償し,積層構造を電力増幅器に適用し高出力を得る。低rms位相/利得誤差の設計法による5ビット移相器はRXとTXの共通パスに用い,RX,TXモード夫々の利得,出力電力,rms利得誤差/位相誤差,直流消費電力の測定値を示した。このフロンロエンドのサイズは試験パッド込で3.2x2.2mmである。妥当なインダクタとコンデンサの選択,高遮断単極双投スイッチと良く整合する設計,移相器設計における移相器セルとLCAの次数最適化によって,提案TX/TXフロントエンドは優れたrms位相/利得誤差性能を達成する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 周波数帯 ,  *フェイズドアレイ ,  *送受信機 ,  *電気回路 ,  スイッチ ,  低雑音増幅器 ,  補償 ,  移相器 ,  電力増幅器 ,  分布増幅器 ,  BiCMOS ,  回路設計 ,  誤差 ,  *レーダ ,  *ミリ波通信 ,  *MMIC
準シソーラス用語： Kaバンド ,  rms誤差 ,  SiGe BiCMOS ,  *フロントエンド【回路】 ,  *ミリ波レーダ ,  ミリ波移相器 ,  ミリ波電力増幅器 ,  位相誤差 ,  損失補償 ,  単極双投スイッチ ,  利得誤差

分類 (3件)： レーダ  (ND13010H) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Kaバンド ,  SiGe ,  BiCMOS ,  フェイズドアレイ ,  送受信機 ,  フロントエンド