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J-GLOBAL ID：201702212004167952   整理番号：17A0579119

低電圧高性能UV光検出器:粒界とデバイ長の相互作用

Low-Voltage High-Performance UV Photodetectors: An Interplay between Grain Boundaries and Debye Length

著者 (6件)： BO Renheng (Australian National Univ., Canberra, AUS) ,  NASIRI Noushin (Australian National Univ., Canberra, AUS) ,  CHEN Hongjun (Australian National Univ., Canberra, AUS) ,  CAPUTO Domenico (Sapienza Univ. Rome, Rome, ITA) ,  FU Lan (Australian National Univ., Canberra, AUS) ,  TRICOLI Antonio (Australian National Univ., Canberra, AUS)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 3  ページ： 2606-2615  発行年： 2017年01月25日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ半導体に基づく紫外線(UV)光検出器は,重要な研究上および商業的関心を集めている。本研究では,超多孔質ZnOナノ粒子ネットワークのUV光検出性能に及ぼす粒子サイズの影響を調査した。最適な粒子サイズの17nmに対し,1Vのバイアス,UV光密度は86μW・cm^-2において,。8.6X10⁶の非常に高い光対暗電流比,1.45X10¹⁵ジョーンズの検出率,UV光選択性が90であった。2mVのバイアスで動作する超低電圧光検出器は,3.3×10⁵の高い光電流対暗電流比と,3.2×10¹²ジョーンズの高い検出率が実証された。デバイ長の2倍の直径を有する球体の体積と粒子サイズに等しい直径を有する球体の体積との間の無次元比(Np-δ)が,相対的なデバイスの光-暗電流性能を推定するために利用され得ることを観察した。

シソーラス用語： *紫外検出器 ,  *結晶粒界 ,  *Debye長 ,  *化合物半導体 ,  多孔性 ,  *ナノ粒子 ,  比率
準シソーラス用語： *ワイドバンドギャップ半導体 ,  *ZnOナノ粒子 ,  検出率

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電圧 ,  高性能 ,  UV光 ,  検出器 ,  粒界 ,  デバイ長 ,  相互作用