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J-GLOBAL ID：201702212021855891   整理番号：17A1728580

高エネルギー多孔質シリコン性能の最適化【Powered by NICT】

Optimising energetic porous silicon performance

著者 (1件)： du Plessis Monuko (Carl and Emily Fuchs Institute for Microelectronics, Dept. of Electrical, Electronic and Computer Engineering, University of Pretoria, Pretoria, South Africa)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： AFRICON  ページ： 653-656  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路シリコン技術特徴サイズのスケールダウンに伴い,より多くの機能をシリコンチップ上に集積した,「Mooreより多く」概念に導くことができる。多孔質シリコン技術は,いくつかの新しい用途があり,その一つはエネルギー物質として使用される多孔質シリコンであるへの扉を開いた。センサとアクチュエータの分野における幾つかの応用を想定し,この論文の目的は,高エネルギー出力のための最適多孔質シリコンと酸化剤パラメータのいくつかを同定することである。重要性の多孔質シリコンの空隙率と細孔径だけでなく,酸化剤を有する細孔の酸化剤と充填の型である。酸化剤NaClO4は,検討した三種類の酸化剤(Gd(NO_3)3,SとNaClO_4)の最もエネルギーであることが分かった。より重要なことは,最もエネルギーの高い反応のための,最適な孔径は3~4nmの範囲にすべきであることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 細孔径 ,  細孔 ,  *最適化 ,  *多孔質シリコン ,  センサ ,  空隙率 ,  集積回路 ,  アクチュエータ ,  *ケイ素
準シソーラス用語： エネルギー物質 ,  シリコンチップ ,  スケールダウン ,  *高エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高エネルギー ,  多孔質シリコン ,  最適化