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J-GLOBAL ID：201702212031311628   整理番号：17A1557630

低温AlSb核形成層を介した微斜面シリコン基板上に分子エピタクシーにより成長させたアンチモン系材料の特性化【Powered by NICT】

Characterization of antimonide based material grown by molecular epitaxy on vicinal silicon substrates via a low temperature AlSb nucleation layer

著者 (10件)： Rodriguez J.B. (Universite de Montpellier, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France) ,  Rodriguez J.B. (CNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France) ,  Cerutti L. (Universite de Montpellier, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France) ,  Cerutti L. (CNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France) ,  Patriarche G. (CNRS-C2N, Universite Paris-Saclay, F-91460 Marcoussis, France) ,  Largeau L. (CNRS-C2N, Universite Paris-Saclay, F-91460 Marcoussis, France) ,  Madiomanana K. (Universite de Montpellier, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France) ,  Madiomanana K. (CNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France) ,  Tournie E. (Universite de Montpellier, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France) ,  Tournie E. (CNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, France)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 477  ページ： 65-71  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlSb核形成層を用いたシリコン基板上に成長させたGaSb層の特性評価について報告した。特に,この核形成層は低温(400°C)で成長させるとAlSb層厚さの影響を調べた。X線回折法,原子間力顕微鏡と透過型電子顕微鏡を用いて材料特性を評価した。ミクロ双晶密度,表面粗さとωスキャンGaSbピークの広がりの間の相関が存在することを示した。さらに,AlSb厚さはミクロ双晶密度に強い影響を持ち,注意深くGaSb品質を向上させるために最適化しなければならない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *微斜面 ,  双晶 ,  *キャラクタリゼーション ,  原子間力顕微鏡 ,  アンチモン化ガリウム ,  *低温 ,  MBE成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  品質 ,  *核形成 ,  *形成層 ,  *アンチモン ,  最適化 ,  X線回折分析
準シソーラス用語： *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1ヘテロエピタクシー ,  A1X線回折 ,  A2分子ビームエピタクシー ,  B1アンチモン化物 ,  B1シリコン基板 ,  B2半導性III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 低温 ,  核 ,  形成層 ,  微斜面 ,  シリコン基板 ,  分子 ,  エピタクシー ,  成長 ,  アンチモン ,  特性化