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J-GLOBAL ID：201702212085720264   整理番号：17A1754161

薄膜トランジスタの性能に及ぼす絶縁層材料と構造の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of insulating layer material and structure on performance of thin film transistors

著者 (4件)： Li Xinyu (西安交通大学 電子物理与器件教育部重点実験室,陜西 西安710049;西安交通大学 微電子学院,陜西 西安710049) ,  Wang Ruozheng (西安交通大学 電子物理与器件教育部重点実験室,陜西 西安710049;西安交通大学 微電子学院,陜西 西安710049) ,  Wu Shengli (西安交通大学 電子物理与器件教育部重点実験室,陜西 西安710049;西安交通大学 微電子学院,陜西 西安710049) ,  Li Zunchao (西安交通大学 電子物理与器件教育部重点実験室,陜西 西安710049;西安交通大学 微電子学院,陜西 西安710049)
資料名： Yejing yu Xianshi  (Yejing yu Xianshi)
巻： 32  号： 5  ページ： 344-351  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1519A  ISSN： 1007-2780  CODEN： YYXIFY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 半導体シミュレーションソフトウェアSilvaco TCADに基づいて薄膜トランジスタ(TFT)に対してデバイスシミュレーションを行い、そして実験検証を結合し、異なる絶縁層材料と構造がTFTデバイス性能に与える影響を重点的に分析した。シミュレーションと実験に用いた薄膜トランジスタはボトムゲート電極構造であり、チャネル層はアモルファスIGZO材料を採用し、絶縁層はSiNxとHfO2の多種の異なる組み合わせの積層構造を採用した。シミュレーションと実験結果は,以下を示す。高k材料を含むゲート絶縁層の積層構造は,単一SiNx絶縁層構造のTFTよりも優れていた。SiNx/HfO2/SiNxゲート絶縁層の積層構造TFTに対して、HfO2が40nmを取るのは比較的に適切であることが明らかになった。高k材料を持つ3層と5層絶縁層の積層構造TFTに対して、各積層厚さの同じ対称構造TFTの性能が最も良い。本論文では、TFTの性能が優れたデバイス構造パラメータをシミュレーションにより獲得し、TFTデバイスを実際に作製するのに指導的な役割を果たすことを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  半導体 ,  非晶質 ,  素子構造 ,  チャネル ,  酸化ハフニウム ,  積層構造 ,  対称性
準シソーラス用語： 層構造 ,  高誘電率材料 ,  電極構造 ,  ボトムゲート ,  デバイスシミュレーション ,  TCAD ,  *絶縁層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： semiconductor device simulation ,  thin film transistor ,  insulation layer ,  SiNx ,  HfO2 ,  overlapping structure

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜トランジスタ ,  絶縁層