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J-GLOBAL ID:201702212105220167   整理番号:17A1185487

ハイブリッド前駆体から誘導したけい素含有炭素材料の無触媒熱分解によるSiCナノワイヤの合成【Powered by NICT】

Synthesis of SiC nanowires via catalyst-free pyrolysis of silicon-containing carbon materials derived from a hybrid precursor
著者 (13件):
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巻: 43  号: 14  ページ: 11006-11014  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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SiCナノワイヤは閉じた黒鉛るつぼ中でのけい素含有ピッチから誘導した炭素材料の熱分解による触媒なしで首尾よく合成した。これらのけい素含有炭素材料をポリカルボシラン(PCS)を用いたコールタールピッチのトルエン可溶画分から成るハイブリッド前駆体の均質化と共炭化によって得られた。ナノワイヤの組成,形態及び構造をX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM)および制限視野電子回折(SAED)によって特性化した。ナノワイヤの成長に及ぼす熱分解温度の影響をFourier変換赤外分光法(FTIR)と質量分光法(TG MS)分析と組み合わせた熱重量分析により調べた。結果はSiCナノワイヤの成長は約1200°Cで始まることを示した。熱分解温度は1300 1500°Cに増加すると,大量のナノワイヤがピッチ誘導炭素基板の上部表面に形成される。添加では,熱分解温度の増加は平均直径の増加および生成した典型的な形態の変化をもたらした。合成したSiCナノワイヤは単結晶構造を持ち,多数の積層欠陥と双晶を有する[111]方向に沿って成長した。気相-固相(VS)機構は,SiCナノワイヤの成長過程の原因である可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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セラミック・陶磁器の製造 

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