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J-GLOBAL ID:201702212146497300   整理番号:17A0492608

O及び/あるいはHとのCu(I)化合物の物理的及び化学的特性

Physical and chemical properties of Cu(i) compounds with O and/or H
著者 (2件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 529-538  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0270A  ISSN: 1477-9226  CODEN: DTARAF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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O及び/或いはHとのCu(I)化合物の電子構造及び化学結合を密度汎関数理論に基づいた非経験的計算を用いて調べた。ハイブリッド汎関数PBE0を用い,それは赤銅鉱Cu2Oの実験的バンドギャップを正確に再現した。第一銅の水酸化物CuOH(キュプライス)は間接バンドギャップ半導体であることが見いだされた。CuOHの結合ネットワーク配置に依存してそのバンドギャップは2.73eVから3.03eVの間で変わることが見いだされた。CuOH中の水素の存在はCu2Oと比べてCu-O結合の特性にほとんど効果を持たなかったがO-H結合形成における占有状態のエネルギーレベルを低めた。結合電荷密度及び電子局在化関数計算はCu2OとCuOHにおいて異なった結合ネットワークに属する隣接Cuカチオンの間の閉殻Cu-Cu相互作用が起きることを明らかにした。一方,第1銅水素化物CuHの3つの構造を調べた。CuHの岩塩構造は高圧(32GPa以上)において安定化できるが一方,ウルツ鉱は常圧においてCuHの最も安定な構造であった。H-H相互作用は岩塩構造の動的安定化に対して寄与した。CuHのウルツ鉱及び閃亜鉛鉱構造は小さなバンドギャップで半導体的であることが予測され,一方,岩塩構造は金属的であることが計算された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
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塩基,金属酸化物  ,  分子の電子構造 
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