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J-GLOBAL ID：201702212153654411   整理番号：17A0524798

化学的に束縛された円筒ナノワイヤの磁壁の脱ピン止め過程

Depinning process of magnetic domain walls in cylindrical nanowires with a chemical constraint

著者 (5件)： CASTILLA D (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  MAICAS M (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  PRIETO J L (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  PROENCA M P (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  PROENCA M P (Univ. Porto, Porto, PRT)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 10  ページ： 105001,1-7  発行年： 2017年03月15日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一部が残りの部分と異なる化学的に束縛された円筒ナノワイヤの磁束ピン止めと脱ピン止め及び磁壁をオブジェクト指向マイクロマグネティックフレームワーク(OOMMF)を用いて調べた。非常磁性,常磁性,強磁性の束縛に対して脱ピン止めを調べ,この種類の欠陥中のピン止め強度が組成を変えることで調整できることを示した。強磁性化学的束縛部位が最も強いピン止め部位であったが,ワイヤの他の部分と比べて飽和磁化と交換エネルギーの著しい低下が存在するときにのみ,磁壁を停止できた。NiCu欠陥(厚み5nm)が強磁性のとき,ピン止め強度は著しく上昇したが,これはNi含有率が55%以下のときだけであった。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *磁壁 ,  *磁束ピン止め ,  計算機シミュレーション ,  制約条件
準シソーラス用語： マイクロマグネティックシミュレーション ,  化学的束縛 ,  脱ピン止め

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学 ,  束縛 ,  ナノワイヤ ,  磁壁 ,  脱ピン止め ,  過程