Physics Department, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong について
Chen Weiguang について
College of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China について
Chen Weiguang について
School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou Normal University, Zhengzhou, Henan 450044, China について
Guo Xin について
Physics Department, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong について
Ho Wingkin について
Physics Department, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong について
Dai Xianqi について
College of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China について
Dai Xianqi について
School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou Normal University, Zhengzhou, Henan 450044, China について
Jia Jinfeng について
Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiaotong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China について
Xie Maohai について
Physics Department, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong について
Applied Surface Science について
界面 について
第一原理 について
化学結合 について
結晶 について
微分 について
ヒ化ガリウム について
層状組織 について
MBE成長 について
電荷 について
エピタクシー について
トポロジカル絶縁体 について
ヘテロ構造 について
歪緩和 について
緩和動力学 について
高屈折率 について
高屈折率Bi_2Se_3 について
歪を受ける について
トポロジカル絶縁体 について
ヘテロ構造 について
分子ビームエピタクシー について
半導体薄膜 について
半導体結晶の電気伝導 について
光物性一般 について
分子ビームエピタクシー について
成長 について
エピタキシャル について
高屈折率 について
歪 について