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J-GLOBAL ID：201702212263953176   整理番号：17A0915673

アンダーエッチング処理によるGaN系発光ダイオードのpパッドとnパッドとの間の光沢整合性の改善

Improvement of Luster Consistency Between the p-Pad and the n-Pad of GaN-Based Light-Emitting Diodes Via the Under-Etching Process

著者 (4件)： ZHENG Chenju (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  LV Jiajiang (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  ZHOU Shengjun (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  LIU Sheng (Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 70  号： 8  ページ： 765-770  発行年： 2017年04月28日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *エッチング ,  *窒化ガリウム ,  *光沢 ,  *効率 ,  *改良 ,  酸化インジウムスズ ,  表面粗さ ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  ワイヤボンディング
準シソーラス用語： *光抽出効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： エッチング処理 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  パッド ,  光沢 ,  整合性