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J-GLOBAL ID：201702212267936348   整理番号：17A0632801

グラフェンとPbS量子ドット混成縦型光トランジスタ

Graphene and PbS quantum dot hybrid vertical phototransistor

著者 (10件)： SONG Xiaoxian (Tianjin Univ., Tianjin, CHN) ,  ZHANG Yating (Tianjin Univ., Tianjin, CHN) ,  ZHANG Haiting (Tianjin Univ., Tianjin, CHN) ,  YU Yu (Tianjin Univ., Tianjin, CHN) ,  CAO Mingxuan (Tianjin Univ., Tianjin, CHN) ,  CHE Yongli (Tianjin Univ., Tianjin, CHN) ,  DAI Haitao (Tianjin Univ., Tianjin, CHN) ,  YANG Junbo (National Univ. Defense Technol., Changsha, CHN) ,  DING Xin (Tianjin Univ., Tianjin, CHN) ,  YAO Jianquan (Tianjin Univ., Tianjin, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 14  ページ： 145201,1-9  発行年： 2017年04月07日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明ソース電極としてAu/Agナノワイヤを適用した溶液プロセスにより,硫化鉛量子ドット(PbS QD)とグラフェン混成縦型電界効果光トランジスタ(VFEpT)を作製した。光感受性は,PbS QDの赤外線(IR)吸収に関連した。過渡光電流をフィッティングすることによってトラップ準位によって誘起した光電流による光伝導利得を評価した。2×10³AW^-1以上の光応答度と7×10¹²Jonesまでの比検出能D^*を12mWcm^-2の808nmレーザ照射下のVFEpTで得た。縦型構造は大面積集積型高感度IR光検出器の開発に寄与すると期待されている。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *硫化鉛 ,  *量子ドット ,  *複合体 ,  *縦型 ,  *FET【トランジスタ】 ,  フォトトランジスタ ,  感受性 ,  赤外検出器
準シソーラス用語： 光トランジスタ ,  光感受性 ,  *混成物 ,  赤外線検出器 ,  *電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  PbS ,  量子ドット ,  縦型 ,  光トランジスタ