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J-GLOBAL ID：201702212269893766   整理番号：17A1036854

Ti/AI_2O_3/Nb_2O_5/Ti抵抗スイッチのアナログメムリスティブおよびメムキャパシタ特性【Powered by NICT】

Analog memristive and memcapacitive properties of Ti / AI₂O₃ / Nb₂O₅ / Ti resistive switches

著者 (3件)： Slesazeck S. (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Wylezich H. (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Mikolajick T. (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： LASCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ニオブに基づくMIM構造における多様な抵抗スイッチング効果が報告されている。フィラメント抵抗としきい値スイッチング効果,初期電鋳プロセス後に発生するに加えて,Nb_2O_5とAl_2O_3の二重層構造で見られた成形フリー抵抗スイッチング動作。本研究では,アナログ抵抗スイッチング効果に伴う静電容量変化の共存について報告した。メムキャパシタ効果は,アナログ回路,純粋なデータ貯蔵を超える新しい応用を可能にするかもしれない。IV及びCV特性およびインピーダンス分光法の結果を示した。さらに,電子トラップ状態の充電と放電に基づく界面量子機械的効果としての基礎となる機構を記述する物理モデルを提案している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アナログ回路 ,  二重構造 ,  *スイッチ ,  データ蓄積 ,  フィラメント ,  アルミニウム ,  *アナログ系 ,  酸化ニオブ ,  スイッチ効果 ,  静電容量 ,  MIM構造 ,  界面 ,  電鋳
準シソーラス用語： 物理モデル ,  インピーダンス分光法 ,  抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (1件)： Ti