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J-GLOBAL ID:201702212285628316   整理番号:17A1636836

ノーマリーオンmHEMT技術を用いた無線通信システムのための直接結合増幅器トポロジーの研究【Powered by NICT】

Investigation of direct-coupled amplifier topologies for wireless communication systems using normally-on mHEMT technology
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: IMS  ページ: 1129-1132  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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本論文では,35nmゲート長InAlAs/InGaAs mHEMT技術で実現した直接結合DC50GHz2段階ベースバンド増幅器トポロジーを提案した。これらはポイントツーポイント通信システムのための将来の単一チップ受信器MMICの重要な成分である。三段間結合アプローチを調べた:抵抗性結合,ダイオードレベルシフタとKukielka増幅器。Kukielka増幅器は利得-帯域幅積に関して最良の性能を特徴とし,このトポロジーのための最高技術水準を示した。調べた2段階増幅器回路は21dBまでの利得と53GHzの3dB帯域幅を達成し,300×300μm~2以下のチップ面積を必要とした。提示したレベルシフタ回路は150GHzまでの3dB帯域幅と3.5dB以下の挿入損失を有していた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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増幅回路  ,  集積回路一般  ,  光導電素子 
タイトルに関連する用語 (5件):
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