文献

J-GLOBAL ID：201702212311241601   整理番号：17A1603919

メソポーラス膜を絶縁することによる貴金属の単分子層成長先端

Monolayer Growth Front of Precious Metals through Insulating Mesoporous Membranes

著者 (3件)： LINCK Nicholas (Univ. Kentucky, Kentucky, USA) ,  PEEK Alex (Univ. Washington, Washington, USA) ,  HINDS Bruce J. (Univ. Washington, Washington, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 36  ページ： 30964-30968  発行年： 2017年09月13日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金薄膜上に形成された絶縁メソポーラスアノード酸化アルミニウム(AAO)膜の細孔内に,アンダポテンシャル電着先端機構によってCuの単分子層が形成され,続いて,自発的なガルバニ置換によってPt,もしくは,Irの単分子膜が形成された。メソポーラス膜は,物質移動の観点で,効率の良い触媒基材であり,本研究によって貴金属の単分子層が形成された材料は,水分解,燃料電池,水素吸蔵,レドックスフロー電池への応用が期待される。

シソーラス用語： *多孔性 ,  *膜 ,  *電気絶縁 ,  *貴金属 ,  *単分子層 ,  *結晶成長 ,  金属薄膜 ,  酸化アルミニウム ,  細孔 ,  アンダポテンシャル電着 ,  置換反応 ,  白金触媒 ,  遷移金属触媒 ,  物質移動
準シソーラス用語： アノード酸化アルミニウム ,  イリジウム触媒 ,  ガルバニ置換 ,  *ナノ多孔性膜 ,  *メソポーラス ,  金薄膜

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： メソポーラス ,  絶縁 ,  貴金属 ,  単分子層 ,  成長