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J-GLOBAL ID：201702212315530854   整理番号：17A0369756

銅-グラフェンナノ層状複合材料中の点欠陥の安定性とマイグレーションのab initio研究【Powered by NICT】

Ab initio study of stability and migration of point defects in copper-graphene layered composite

著者 (8件)： Yang T.L. (School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Yang L. (School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Liu H. (School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Zhou H.L. (School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Peng S.M. (Institute of Nuclear Physics and Chemistry, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Zhou X.S. (Institute of Nuclear Physics and Chemistry, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Gao F. (Department of Nuclear Engineering and Radiological Sciences, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Zu X.T. (School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 692  ページ： 49-58  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づくab initio計算を銅-グラフェン層状複合材料(単一グラフェン層は短いのためのマルチCu(111)層,Cu/gr/Cu間に挿入した)中の点欠陥の相対的安定性と移動を決定するために行った。結果は点欠陥のためのグラフェン層周辺の全捕獲領域は約15Å,すなわちこの複合材料はグラフェン層の界面およびグラフェンの両側に三Cu層であることを示した。界面は初期グラフェンのそれより低い形成エネルギーとC空孔の生成を減少させるが,C格子間原子の形成に僅かに影響した。しかし,グラフェン近傍のCu点欠陥の形成エネルギーは有意に減少し,バルクCu中のこれらと比較した。複合材料のグラフェン層中のC空孔の移動エネルギー障壁は完全緩和のない初期グラフェンのそれより低かったが,グラフェン近傍のCu空孔の移動エネルギー障壁はバルクのそれよりもはるかに小さかった。Cu空格子点は最近接Cu層を通した界面中心よりもむしろ同じCu層内の跳躍へのジャンプすることを好む。CとCu格子間原子は中空サイトを通過させることによって二個の最近接fccサイト間のジャンプ良好,界面におけるCu格子間原子のマイグレーションはバルクCuにおけるよりも容易であった。これらの結果は,Cu/gr/Cu複合材料における界面はそれらの再結合のための捕獲欠陥と嗜好性部位の強いシンクを提供することを示唆する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再結合 ,  *銅 ,  格子間原子 ,  *点欠陥 ,  嗜好性 ,  捕獲 ,  *グラフェン ,  密度汎関数法 ,  界面 ,  *複合材料 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  形成エネルギー ,  銅(111) ,  第一原理計算 ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 銅グラフェン複合材料 ,  欠陥 ,  ab initio計算 ,  欠陥再結合

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  二次電池  (YB04030K) ,  金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 銅 ,  グラフェン ,  ナノ層 ,  複合材料 ,  点欠陥 ,  安定性 ,  マイグレーション ,  研究